C106F概述

Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 50V V(DRM),

C106F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
标称电路换相断开时间	40 µs
关态电压最小值的临界上升速率	8 V/us
最大直流栅极触发电流	0.2 mA
最大直流栅极触发电压	0.8 V
最大维持电流	3 mA
最大漏电流	0.1 mA
通态非重复峰值电流	20 A
最大通态电压	2.2 V
最大通态电流	4000 A
最高工作温度	110 °C
最低工作温度	-40 °C
断态重复峰值电压	50 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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C106F相似产品对比

	C106F	2N5060	C106A	C106M	C106B	C106D	2N5061
描述	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 50V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 30V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 100V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 200V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 400V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 60V V(DRM),
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
标称电路换相断开时间	40 µs	10 µs	40 µs	40 µs	40 µs	40 µs	10 µs
最大直流栅极触发电流	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.2 mA
最大直流栅极触发电压	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V
最大维持电流	3 mA	5 mA	3 mA	3 mA	3 mA	3 mA	5 mA
最大漏电流	0.1 mA	0.01 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.01 mA
通态非重复峰值电流	20 A	10 A	20 A	20 A	20 A	20 A	10 A
最大通态电压	2.2 V	1.7 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	1.7 V
最大通态电流	4000 A	510 A	4000 A	4000 A	4000 A	4000 A	510 A
最高工作温度	110 °C	125 °C	110 °C	110 °C	110 °C	110 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-60 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-60 °C
断态重复峰值电压	50 V	30 V	100 V	600 V	200 V	400 V	60 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	-	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]
关态电压最小值的临界上升速率	8 V/us	-	8 V/us	8 V/us	8 V/us	8 V/us	-

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