Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM),
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 标称电路换相断开时间 | 40 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 8 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 0.8 V |
| 最大维持电流 | 3 mA |
| 最大漏电流 | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 20 A |
| 最大通态电压 | 2.2 V |
| 最大通态电流 | 4000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 600 V |
| 表面贴装 | NO |
| 触发设备类型 | SCR |
| C106M | 2N5060 | C106A | C106F | C106B | C106D | 2N5061 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 30V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 100V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 50V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 200V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 400V V(DRM), | Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 60V V(DRM), |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant | compliant | compliant | compliant | compli |
| 标称电路换相断开时间 | 40 µs | 10 µs | 40 µs | 40 µs | 40 µs | 40 µs | 10 µs |
| 最大直流栅极触发电流 | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V | 0.8 V |
| 最大维持电流 | 3 mA | 5 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 3 mA | 5 mA |
| 最大漏电流 | 0.1 mA | 0.01 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.1 mA | 0.01 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 20 A | 10 A | 20 A | 20 A | 20 A | 20 A | 10 A |
| 最大通态电压 | 2.2 V | 1.7 V | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V | 2.2 V | 1.7 V |
| 最大通态电流 | 4000 A | 510 A | 4000 A | 4000 A | 4000 A | 4000 A | 510 A |
| 最高工作温度 | 110 °C | 125 °C | 110 °C | 110 °C | 110 °C | 110 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -60 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -60 °C |
| 断态重复峰值电压 | 600 V | 30 V | 100 V | 50 V | 200 V | 400 V | 60 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
| 厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | - | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 8 V/us | - | 8 V/us | 8 V/us | 8 V/us | 8 V/us | - |
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