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FSGL134D1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小102KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FSGL134D1概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

FSGL134D1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FSGL134D1相似产品对比

FSGL134D1 FSGL134R4 FSGL134R3
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
零件包装代码 BCY BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 4 4 4
Reach Compliance Code compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 10 A 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A 10 A
最大漏源导通电阻 0.125 Ω 0.125 Ω 0.125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W 25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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