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P4KE200

产品描述瞬态电压抑制二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P4KE200概述

瞬态电压抑制二极管

功能特点

产品名称:瞬态电压抑制二极管


产品型号:P4KE200


产品参数:


功耗Ppp:400W


反向电压VRWM:162V


击穿电压VBR@IT:Min=180V Max=220V


测试电流It:1mA


反向漏电IR@VRWM :1μA


Max. Clamp Voltage 10/1000μs Vc @ Ipp :287V


脉冲电流峰值Ipp :1.5A



封装:DO-41



P4KE200规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压220 V
最小击穿电压180 V
击穿电压标称值200 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压287 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压162 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
紧急求助pb3
RCC_APB2PeriphClockCm(RCC_APB2Periph_AFIO|APB2Periph_GPIOB,ENABLE);GPIO_PinRemapConfig(GPIO_Remap_SWJ_JTAGDisable,DISABLE);GPIO_PinRemapConfig(GPIO_Remap_SWJ_Disable,DISABLE);stm32_Init();//STM32setup...
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