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HY5V22ELM-H

产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
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文件大小459KB,共14页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5V22ELM-H概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

HY5V22ELM-H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA90,9X15,32
针数90
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度13 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

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128Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O
Document Title
4Bank x 1M x 32bits(4Bank x1M x16 *2 Stack) Synchronous DRAM
Revision History
Revision No.
0.1
0.2
0.3
1. Corrected Functional Block Diagram
2. Changed CI1 and CI2
History
Initial Draft
Draft Date
Dec. 2004
Dec. 2004
Mar. 2005
Remark
Preliminary
Preliminary
Preliminary
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.3 / Mar. 2005
1

HY5V22ELM-H相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90 Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA90,9X15,32 TFBGA, BGA90,9X15,32 TFBGA, TFBGA, TFBGA, BGA90,9X15,32 TFBGA, TFBGA, BGA90,9X15,32 TFBGA,
针数 90 90 90 90 90 90 90 90
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown compliant unknown compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
内存密度 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bit 134217728 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 90 90 90 90 90 90 90 90
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32 4MX32
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 260 260 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 20 20 20 20 NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
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