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HY5V22EM-H: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小459KB，共14页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY5V22EM-H概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

HY5V22EM-H规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	90
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
长度	13 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

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128Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O

Document Title

4Bank x 1M x 32bits(4Bank x1M x16 *2 Stack) Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

0.1

0.2

0.3

1. Corrected Functional Block Diagram

2. Changed CI1 and CI2

History

Initial Draft

Draft Date

Dec. 2004

Mar. 2005

Remark

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.3 / Mar. 2005

HY5V22EM-H相似产品对比

	HY5V22EM-H	HY5V22ELM-6	HY5V22ELM-H	HY5V22EMP-6	HY5V22ELMP-6	HY5V22EMP-H	HY5V22ELMP-H	HY5V22EM-6
描述	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-90
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA,	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA,	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA,
针数	90	90	90	90	90	90	90	90
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90	90	90	90	90
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
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工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
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封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	260	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20	20	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

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