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S-22H12IF10: 产品描述Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, CMOS, PDSO18, SOP-18; 产品类别存储存储; 文件大小76KB，共11页; 制造商ABLIC

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S-22H12IF10概述

Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, CMOS, PDSO18, SOP-18

S-22H12IF10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ABLIC
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP18,.3
针数	18
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G18
长度	11.4 mm
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	18
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	5.4 mm

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Contents

Features........................................................... 1

Pin Assignment ................................................ 1

Block Diagram.................................................. 2

Absolute Maximum Ratings ............................. 2

Recommended Operating Conditions.............. 2

Pin capacitance................................................ 3

DC Electrical Characteristics ........................... 3

Data Hold Characteristics ................................ 3

AC Electrical Characteristics............................ 4

Operation Mode ............................................... 6

Operation ......................................................... 6

Dimensions ...................................................... 8

Ordering Information ........................................ 8

Characteristics ................................................. 9

S-22H12IF10相似产品对比

	S-22H12IF10	S-22H12I10	S-22S12IF10	S-22S12I10	S-22H10I10	S-22S10I10	S-22S10IF10	S-22H10IF10
描述	Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, CMOS, PDSO18, SOP-18	Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18	Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, CMOS, PDSO18, SOP-18	Non-Volatile SRAM, 256X4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18	Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18	Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDIP18, DIP-18	Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDSO18, SOP-18	Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDSO18, SOP-18
厂商名称	ABLIC	ABLIC	ABLIC	ABLIC	ABLIC	ABLIC	ABLIC	ABLIC
零件包装代码	SOIC	DIP	SOIC	DIP	DIP	DIP	SOIC	SOIC
包装说明	SOP, SOP18,.3	DIP, DIP18,.3	SOP, SOP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	SOP, SOP18,.3	SOP, SOP18,.3
针数	18	18	18	18	18	18	18	18
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns	200 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G18	R-PDIP-T18	R-PDSO-G18	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18	R-PDSO-G18	R-PDSO-G18
长度	11.4 mm	22 mm	11.4 mm	22 mm	22 mm	22 mm	11.4 mm	11.4 mm
内存密度	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	256 bit	256 bit	256 bit	256 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18	18	18	18
字数	256 words	256 words	256 words	256 words	64 words	64 words	64 words	64 words
字数代码	256	256	256	256	64	64	64	64
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256X4	256X4	256X4	256X4	64X4	64X4	64X4	64X4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	DIP	SOP	DIP	DIP	DIP	SOP	SOP
封装等效代码	SOP18,.3	DIP18,.3	SOP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	SOP18,.3	SOP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2 mm	5.08 mm	2 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	2 mm	2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	5.4 mm	7.62 mm	5.4 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	5.4 mm	5.4 mm

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