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NTD70N03RT4G

产品描述32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小769KB,共8页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
标准  
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NTD70N03RT4G概述

32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3

NTD70N03RT4G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369AA-01
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)71.7 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)32 A
最大漏源导通电阻0.013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NTD70N03RT4G相似产品对比

NTD70N03RT4G NTD70N03R-1G NTD70N03RG NTD70N03RT4 NTD70N03R-1 NTD70N03R
描述 32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3 32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3 32A, 25V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 CASE 369AA-01, DPAK-3 CASE 369D-01, DPAK-3 CASE 369AA-01, DPAK-3
针数 3 3 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 369AA-01 CASE 369D-01 CASE 369AA-01 CASE 369AA-01 CASE 369D-01 CASE 369AA-01
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ 71.7 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
最大漏极电流 (ID) 32 A 32 A 32 A 32 A 32 A 32 A
最大漏源导通电阻 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω 0.013 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e0 e0 e0
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 1 1 NOT SPECIFIED 1
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 2 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 240 240 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A 140 A 140 A 140 A 140 A 140 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES NO YES YES NO YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN TIN TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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