Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NE4210S01-T1-A

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NE4210S01-T1-A: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小65KB，共16页; 制造商NEC(日电); 标准

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NE4210S01-T1-A概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET

NE4210S01-T1-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	MICROWAVE, X-PXMW-G4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	3 V
最大漏极电流 (ID)	0.015 A
FET 技术	HETERO-JUNCTION
最高频带	KU BAND
JESD-30 代码	X-PXMW-G4
JESD-609代码	e6
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	UNSPECIFIED
封装形式	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	11 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子位置	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

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DATA SHEET

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE4210S01

X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION

The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

• Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz

• Gate Length: L

≤

0.20

• Gate Width : W

= 160

ORDERING INFORMATION (PLAN)

Part Number

NE4210S01-T1

NE4210S01-T1B

Marking

Supplying Form

Tape & reel 1 kp/reel

Tape & reel 4 kp/reel

Remark

To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:

NE4210S01)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Gate Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Symbol

tot

stg

Ratings

4.0

–3.0

DSS

100

165

125

–65 to +125

Unit

°C

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T

= +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Drain Current

Input Power

Symbol

MIN.

–

TYP.

–

MAX.

Unit

dBm

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P14232EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

1999

NE4210S01-T1-A相似产品对比

	NE4210S01-T1-A	NE4210S01-A	NE4210S01	NE4210S01-T1B
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	3 V	3 V	3 V	3 V
最大漏极电流 (ID)	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
FET 技术	HETERO-JUNCTION	HETERO-JUNCTION	HETERO-JUNCTION	HETERO-JUNCTION
最高频带	KU BAND	KU BAND	KU BAND	KU BAND
JESD-30 代码	X-PXMW-G4	X-PXMW-G4	X-PXMW-G4	X-PXMW-G4
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形式	MICROWAVE	MICROWAVE	MICROWAVE	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	11 dB	11 dB	11 dB	11 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE
JESD-609代码	e6	-	e0	e0
端子面层	TIN BISMUTH	-	TIN LEAD	TIN LEAD

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