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NE4210S01

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共16页
制造商NEC(日电)
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NE4210S01概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,

NE4210S01规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压3 V
最大漏极电流 (ID)0.015 A
FET 技术HETERO-JUNCTION
最高频带KU BAND
JESD-30 代码X-PXMW-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)11 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

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DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE4210S01
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER
N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: L
g
0.20
µ
m
• Gate Width : W
g
= 160
µ
m
ORDERING INFORMATION (PLAN)
Part Number
NE4210S01-T1
NE4210S01-T1B
Marking
L
Supplying Form
Tape & reel 1 kp/reel
Tape & reel 4 kp/reel
Remark
To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:
NE4210S01)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Gate Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
tot
T
ch
T
stg
Ratings
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
125
–65 to +125
Unit
V
V
mA
µ
A
mW
°C
°C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T
A
= +25°C)
Parameter
Drain to Source Voltage
Drain Current
Input Power
Symbol
V
DS
I
D
P
in
MIN.
1
5
TYP.
2
10
MAX.
3
15
0
Unit
V
mA
dBm
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. P14232EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published November 1999 N CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
©
1999

NE4210S01相似产品对比

NE4210S01 NE4210S01-A NE4210S01-T1-A NE4210S01-T1B
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 3 V 3 V 3 V 3 V
最大漏极电流 (ID) 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION
最高频带 KU BAND KU BAND KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 X-PXMW-G4 X-PXMW-G4 X-PXMW-G4 X-PXMW-G4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 11 dB 11 dB 11 dB 11 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
JESD-609代码 e0 - e6 e0
端子面层 TIN LEAD - TIN BISMUTH TIN LEAD
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