电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NE4210S01-A

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共16页
制造商NEC(日电)
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NE4210S01-A在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
NE4210S01-A - - 点击查看 点击购买

NE4210S01-A概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,

NE4210S01-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压3 V
最大漏极电流 (ID)0.015 A
FET 技术HETERO-JUNCTION
最高频带KU BAND
JESD-30 代码X-PXMW-G4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)11 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE4210S01
X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER
N-CHANNEL HJ-FET
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its
excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
• Gate Length: L
g
0.20
µ
m
• Gate Width : W
g
= 160
µ
m
ORDERING INFORMATION (PLAN)
Part Number
NE4210S01-T1
NE4210S01-T1B
Marking
L
Supplying Form
Tape & reel 1 kp/reel
Tape & reel 4 kp/reel
Remark
To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office. (Part number for sample order:
NE4210S01)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Gate Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
tot
T
ch
T
stg
Ratings
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
125
–65 to +125
Unit
V
V
mA
µ
A
mW
°C
°C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T
A
= +25°C)
Parameter
Drain to Source Voltage
Drain Current
Input Power
Symbol
V
DS
I
D
P
in
MIN.
1
5
TYP.
2
10
MAX.
3
15
0
Unit
V
mA
dBm
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. P14232EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published November 1999 N CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
©
1999

NE4210S01-A相似产品对比

NE4210S01-A NE4210S01 NE4210S01-T1-A NE4210S01-T1B
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 3 V 3 V 3 V 3 V
最大漏极电流 (ID) 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION
最高频带 KU BAND KU BAND KU BAND KU BAND
JESD-30 代码 X-PXMW-G4 X-PXMW-G4 X-PXMW-G4 X-PXMW-G4
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp) 11 dB 11 dB 11 dB 11 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
JESD-609代码 - e0 e6 e0
端子面层 - TIN LEAD TIN BISMUTH TIN LEAD
发现stm32PWM输出的一个问题
如果PWM的输出时钟和管脚配置都写在外部函数里面,比如rcc_configuration和gpio_configuration里面,将这两个函数放在PWM配置函数之前执行,下载到stm32f103里面,重新上电后PWM输出管脚会出问 ......
dlcnight stm32/stm8
wince+C#下,不能重载OnPaint方法吗?
想弄一个位图按钮,用PictureBox做,处理单击事件很慢。 所以想到从Button类继承,发现重载OnPaint无效。 下面这段代码PC上正常的,能看到效果。 class ImageButton:Button { ......
860122 嵌入式系统
三周年纪念
@soso@nmg@eric-wang@所有管理员 https://bbs.eeworld.com.cn/thread-507467-1-1.html 好快啊,三周年了。下午吃完饭特地问候了下SOSO,她还让我“多 ......
suoma 聊聊、笑笑、闹闹
一些简单的汇编程序
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:20 编辑 一些简单的汇编程序,希望可以给初学汇编的朋友带来帮助~~ ...
xianghong123 电子竞赛
BIOS问题
有一个疑问,就是操作系统启动以后,对硬件的访问还通过BIOS,还是操作系统完全接管硬件,就不通过BIOS了呢? 这一点好象DOS与WINDOWS不一样?我记得DOS应该是需要BIOS的, 请明白的大侠指点一下 ......
guoqingling988 嵌入式系统
ucf语句解释
今天看到一段别人的ucf文件,麻烦大神解释一下是什么意思,这个又是*,又是inst,又是?,求解答,谢谢! INST "*GTP_DUAL_1000X_inst?rx_elastic_buffer_inst_0?rd_addr_gray_?" TNM = "rx_el ......
gxiaob FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1634  190  2876  2599  506  32  30  49  36  22 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved