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27C64E350/883

产品描述27C64E350/883
产品类别存储    存储   
文件大小165KB,共12页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

27C64E350/883概述

27C64E350/883

27C64E350/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间350 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度65536 bi
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
编程电压13 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1

27C64E350/883相似产品对比

27C64E350/883 27C64E200/883 27C64E250/883 27C64Q200/883 27C64Q250/883 27C64Q350/883
描述 27C64E350/883 27C64E200/883 27C64E250/883 IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
最长访问时间 350 ns 200 ns 250 ns 200 ns 250 ns 350 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi 65536 bi
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
端子数量 32 32 32 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 QCCN QCCN QCCN DIP DIP DIP
封装等效代码 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 DIP28,.6 DIP28,.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V 13 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 1e-7 A 0.0001 A
最大压摆率 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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