M95080-RMN1,M95080-RMN1 pdf中文资料,M95080-RMN1引脚图,M95080-RMN1电路-Datasheet-电子工程世界

M95080-RMN1: 产品描述1KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8; 产品类别存储存储; 文件大小180KB，共21页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M95080-RMN1概述

1KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	HARDWARE/SOFTWARE

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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