Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD232M646AL6-H

文档预览

HYMD232M646AL6-H: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小279KB，共19页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYMD232M646AL6-H概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200

HYMD232M646AL6-H规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24
针数	200
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.16 A
最大压摆率	1.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

32Mx64 bits

Unbuffered DDR SO-DIMM

HYMD232M646A(L)6-J/M/K/H/L

DESCRIPTION

Hynix HYMD232M646A(L)6-J/M/K/H/L series is unbuffered 200-pin double data rate Synchronous DRAM Small Out-

line Dual In-Line Memory Modules (SO-DIMMs) which are organized as 32Mx64 high-speed memory arrays. Hynix

HYMD232M646A(L)6-J/M/K/H/L series consists of eight 16Mx16 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages on a

200pin glass-epoxy substrate. Hynix HYMD232M646A(L)6-J/M/K/H/L series provide a high performance 8-byte inter-

face in 67.60mmX 31.75mm form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD232M646A(L)6-J/M/K/H/L series is designed for high speed of up to 166MHz and offers fully synchronous

operations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs

are latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both ris-

ing and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth.

All input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and

burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD232M646A(L)6-J/M/K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect func-

tion is implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to

identify DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

256MB (32M x 64) Unbuffered DDR SO-DIMM

based on 16Mx16 DDR SDRAM

JEDEC Standard 200-pin small outline dual in-line

memory module (SO-DIMM)

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100MHz/125MHz/133MHz/166MHz

All addresses and control inputs except Data, Data

strobes and Data masks latched on the rising edges

of the clock

Data(DQ), Data strobes and Write masks latched on

both rising and falling edges of the clock

•

Data inputs on DQS centers when write (centered

DQ)

Data strobes synchronized with output data for read

and input data for write

Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

tRAS Lock-out function supported

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

ORDERING INFORMATION

Part No.

HYMD232M646A(L)6-J

HYMD232M646A(L)6-M

HYMD232M646A(L)6-K

HYMD232M646A(L)6-H

HYMD232M646A(L)6-L

=2.5V

DDQ

=2.5V

Power Supply

Clock Frequency

166MHz (*DDR333)

133MHz (*DDR266:2-2-2)

133MHz (*DDR266A)

133MHz (*DDR266B)

100MHz (*DDR200)

Interface

Form Factor

SSTL_2

200pin Unbuffered SO-DIMM

67.6mm x 31.75mm x 1mm

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.5 / July 2003

HYMD232M646AL6-H相似产品对比

	HYMD232M646AL6-H	HYMD232M646A6-J	HYMD232M646A6-M	HYMD232M646A6-K	HYMD232M646A6-L	HYMD232M646A6-H	HYMD232M646AL6-M	HYMD232M646AL6-L	HYMD232M646AL6-K
描述	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, SODIMM-200
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
针数	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	125 MHz	133 MHz	133 MHz	125 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200	200	200	200	200	200
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A	0.16 A
最大压摆率	1.5 mA	1.58 mA	1.58 mA	1.5 mA	1.36 mA	1.5 mA	1.58 mA	1.36 mA	1.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

推荐资源

TI大牛谈---电容系数会影响到哪些地方: 作者：Bonnie Baker — WEBENCH 设计中心为任何电路选择电容器时都需要注意失真问题。如果电容器在信号路径中，就会出现这类失真。图 1 是 2 个在信号路径中包含电容器的典型电路。http://www.d ......; qwqwqw2088 模拟与混合信号

求助：有关按键检测。: void P1_IODect() { unsigned int Push_Key = 0; Push_Key = P1IFG&(~P1DIR); __delay_cycles(10000); if((P1IN&Push_Key)==0) { switch(Push_Key) { case BIT3:P13_Onclic ......; 阿祖_电子微控制器 MCU

印度姐姐教授做的煤气泄漏报警器电路: 今天换个口味，发给印度阿三姐姐的电路，煤气泄漏报警器。本设计的作者叫莫汉库玛，她是印度政府女子大学的副教授。 http://www.haodianlu.com/wp-content/uploads/2013/06/1D4_1.jpg传感器 ......; 超级电工单片机

BeagleBone Black家庭娱乐系统: 一直想做个家庭定位系统，帮助查找东西，但是工程量太大，完不成，最近获得一款蓝牙LED灯，想玩玩，做个娱乐灯光，不知是否可行！！:) ...; dlyt03 DSP 与 ARM 处理器

益登科技携手VTI面向台湾地区力推压力及加速度传感器: 益登科技(EDOM)日前宣布与VTI Technologies达成代理协议。根据这项协议，益登将在台湾地区消费性电子市场上分销VTI的压力传感器(SCP1000)与加速度传感器(SCA3000)等产品。其中，VTI SCP1000压 ......; frozenviolet 传感器

0基础学嵌入式：嵌入式linux视频教程免费分享！: 今天在这里给大家分享一个嵌入式linux视频教程，需要的朋友可以看看，作为参考！课程列表： day01-01 系统介绍之缓冲区刷新 day01-02 系统介绍之man手册的使用 day02_文件查找规则 da ......; uplookingbao Linux开发

简单易制的自动充电

用6V免维护电瓶供电的应急手提灯在农村应用非常广泛，其配用的充电器是一个变压器降压、单二极管半波整流装置，充电时间很难掌握。由于电池亏电或过充电往往会造成电池寿命缩短，为了有效延长电池寿命。设计制作了一个简易自动充电装置。工作原理电路如下图所示。GB为待充电电瓶，平时只要不再使用，就将充电器插头X1、X2插入手提灯的充电插孔内。按一下启动按钮SB，220V交流市电经保险FU、SB加在电源变压...[详细]
日本发明电动车无线充电法易普及或可助力推广

　　电动汽车如今是市场热点，不过，充电不方便这一问题制约着这种新能源汽车的快速普及。日本研究人员发明一种新方法，使电动汽车在行驶过程中充电，驾车者不必时时惦记寻找充电站。　　无线充电　　日本丰桥技术科学大学在横滨举办的贸易展上展示这一无线充电技术。研究人员把与日本公共道路相同的混凝土砖块置于展台两边的白色基座中，基座内藏有发电机。两边砖块上各放置一个全尺寸轮胎，两者以电线连接，...[详细]
CATV的智能校园广播/考试系统的设计

传统的广播系统，一般需要由人工定时操作，且只能实现一路广播，功能少，传统的打铃设备，音源单一，声音刺耳，随着学校教学改革的不断深入，这些电教设备已不能满足学校的要求和发展，根据学校的需求，笔者利用电脑多媒体技术和单片机技术，结合CATV系统设计出了智能校园广播/考试系统，该系统不仅可以实现多路调频广播，而且可以寻址广播，控制校园任一广播终端的功能操作，如广播开关、声音调节和频道切换等，同时广播终...[详细]
自制健康节能的饮水机

一、电路的组成整个电路包括两部分： 1．节电控制电路如下图所示。包括延时电路、驱动电路。 (1)延时电路。包括集成电路U1(CD4541)。电阻R2、R3、R4，电容C4，按钮S0、S1。 (2)驱动电路：由R1、晶体管Q1、继电器J1、二极管D1组成。 2．凉、热水分开及水位指示电路如下图所示。包括基准电压电路、水位比较电路、驱动电路。 (1)基准电压电路。由电阻R6、R8、R11...[详细]
基于超声探测的停车场车位引导系统的研究

1、引言随着停车需求的增长，停车场的规模也越来越趋于大型化。国内对智能停车场也进行了大量的研究，但目前我国的停车场管理系统大多还存在智能化、集成度低的缺点，忽视了停车过程的自动化，特别是车位的引导。如何检测车位和引导司机方便的泊车也是停车管理的重要组成部分，该方案通过对最短路径有效算法和场内车位引导。及现场总线通讯等方面进行阐述，对特大型智能自动化停车场的设计具有一定的参考价值。 2、...[详细]
Blackfin汇聚式处理器如何以可扩展性取胜

汇聚式处理器满足扩展性需求当前嵌入式系统设计中，基于MCU、DSP、FPGA及ASIC的解决方案占据了超过90%的市场份额，这些方案各自在成本、功耗、集成度以及开发环境支持上具有不同的特点，而单就设计的可扩展性而言，DSP通常能提供比竞争性解决方案更强大的处理能力，为功能扩展提供了足够的性能裕量，而且基于软件的实现方式具有无可比拟的灵活性和扩展性优势。近年来，随着主流的DSP提供商在...[详细]
VXI总线测试设计

引言在托卡马克等离子体物理放电过程中，破裂与据齿的研究具有重要的意义。在大多数托卡马克放电过程中都存在破裂与锯齿。破裂是一个值得注意的事件，其间等离子体的约束遭到严重的破坏，它不仅限制了等离子体的电流和密度的运行区域，而且它造成的机械应力和热负荷给等离子体容器壁带来严重损害。对破裂，目前在理论上仍缺乏详尽理解，大体上可将其分为低q破裂和密度极限破裂。利用村上（Murakami）参数作横...[详细]
可编程逻辑器件在高准确度A／D转换器中的应用

1　引　言可编程逻辑器件（PLD）是当今国际上流行的新一代数字系统逻辑器件。它主要是一种“与－或”两级式结构器件，除了具有高速度、高集成度性能之外，其最大的特点就是用户可定义其逻辑功能。因此PLD能够适应各种需求，大大简化系统设计，缩小系统规模，提高系统可靠性，受到广大工程技术人员的青睐。可编程逻辑器件种类繁多，性能各异，主要有以下几种基本类型：可编程只读存储器（PROM），...[详细]
互联网公司做手机的十大败像

互联网公司都在做手机，不管大的小的，不管有名的还是没名的，不管有钱的还是没钱的。一窝蜂的创新，这是中国式发展的模式，也更是中国互联网企业多年来的惯例。从互联网发展的历史看，这种你追我赶的状态并不会损害互联网的未来，相反，大进军大淘汰已经是互联网的发展必然。互联网公司为了适应移动互联网的大势，推出自己品牌的手机也并不意外。当然，我们需要思考的是，为何在PC桌面互联网时代中没有互联网企业这...[详细]
全球半导体业绩4年后破4000亿美元

根据最新的预测，2016年全球半导体市场营业额将突破4000亿美元大关，达4116亿美元（约12.34兆元台币），创下半导体市场新里程碑。回顾半导体市场历史，1980年全球半导体产业的营业额首度达100亿美元，并于1983年站稳百亿美元营业额，自此之后，半导体产业快速成长，其中偶有1~2年拉回，产业趋势仍是快速向上成长。 10年站稳2000亿门槛 1994年半导体产业创下新的里程碑，全...[详细]
优化针对高端应用处理器的电源管理

　　针对当今便携式应用处理器的电源管理解决方案的集成度越来越高了。总功耗、待机和休眠电流消耗会影响电池的大小、原材料成本与产品验收。设计智能手机或PDA之类的便携式器件时，系统设计师必须考虑电源的多种变量。智能手机越来越耗电，需要高度集成的电源管理解决方案，以便在尽可能最小的PCB面积中满足整体设计对最长电池寿命的要求。当今的应用处理器要求内核、I/O、存储器和外设具有独立的电源域。LP3971...[详细]
SURFnet, Opnext完成100Gbps相干传输实验

7/10/2012，Opnext和荷兰国家教育科研网SURFnet联合宣布完成阿姆斯特丹国家超级计算中心到日内瓦欧洲核子研究中心CERN的1650公里100Gbps相干现场传输实验。Opnext为实验提供了OTS-100FLX 100Gbps 数字相干子系统。该产品基于下一代的100Gbps单载波，软件判决FEC等先进技术。为了进一步演示传输系统的性能，光纤链路中还包括了多段高非线性光纤。实际上...[详细]
Mouser 在其工业应用中心推出楼宇自动化站点

2012年7月11日 – 半导体与电子元器件业顶尖设计工程资源与全球分销商Mouser Electronics, Inc.日前在Mouser.com上发布了新的工业应用培训站点。这个全新的站点旨在帮助设计工程师迅速获得楼宇自动化技术的最新发展和主要趋势，以及配套产品信息。站点分为四个区域：应用、特色产品、文章和资源，Mouser的工业应用培训站点是一个综合性资源，涵盖楼宇自动化的...[详细]
PIC单片机C语言程序设计（2）

　　五、C语言的标识符和关键字　　一个完整的PIC单片机C语言程序，通常由包含文件（即头文件1，变量定义、变量说明、函数定义、函数体和注释等六部分等组成。　　1.C语言的标识符　　所谓标识符，实际上是一些由程序编写者自定义的名称，类似于PIC单片机汇编语言中给寄存器（RAM）的命名。C语言中所用到的变量名、函数名、数组名、文件名等都是由标识符组成的。　　标识符是由一串字母（常指英...[详细]
CIF50-PB总线板卡与力控组态软件的应用实例

一、 CIF 板卡简介基于PC系统的现场总线集成无论是主站或从站，现场总线在基于PC的自动化领域内获得了一致好评。十多年以来，Hilscher公司的CIF通讯卡，在众多领域里得到了成功的应用，并且成为市场上的一种标准。各种形式的PC板卡通过应用CIF通讯卡，用户可以对不同的现场总线，不同的硬件平台，使用统一的标准。我们的PC通讯卡可以使用标准型，紧凑...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多