Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANSP2N3501UB

JANSP2N3501UB: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小598KB，共8页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

JANSP2N3501UB在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	JANSP2N3501UB	-	-	点击查看	点击购买

JANSP2N3501UB概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3

JANSP2N3501UB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)	0.3 A
集电极-发射极最大电压	150 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JESD-30 代码	R-CDSO-N3
JESD-609代码	e4
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500; RH - 30K Rad(Si)
表面贴装	YES
端子面层	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	1150 ns
最大开启时间（吨）	115 ns

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

JANS 2N3501UB

RADIATION HARDENED

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/366

DESCRIPTION

This family of JANS 2N3501, epitaxial, planar transistors are military qualified in five RHA

(Radiation Hardness Assurance) levels for high-reliability applications. These devices are

also available in TO-5 and low profile TO-39 packaging. Microsemi also offers numerous

other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed

requirements in both through-hole and surface-mount packages.

compliant

Qualified Levels:

JANSM, JANSD,

JANSP, JANSL, and

JANSR

Important:

For the latest information, visit our website

http://www.microsemi.com.

FEATURES

•

Surface mount equivalent of JEDEC registered 2N3501 number.

RHA level JAN qualifications per MIL-PRF-19500/366 (see

part nomenclature

for all options).

RoHS compliant by design.

UB Package

Also available in:

APPLICATIONS / BENEFITS

•

General purpose transistors for medium power applications requiring high frequency switching.

Low profile ceramic package.

Lightweight.

Military and other high-reliability applications.

TO-5 package

(long-leaded)

2N3498L – 2N3501L

TO-39

(TO-205AD)

package

(leaded)

2N3498 – 2N3501

MAXIMUM RATINGS

@ T

= +25 ºC unless otherwise noted

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

Total Power Dissipation

@ T

= +25 °C

(2)

@ T

= +25 °C

(1)

Symbol

CEO

CBO

EBO

ӨJA

, T

stg

Value

150

6.0

300

325

0.5

1.5

-65 to +200

Unit

C/W

°C

MSC – Lawrence

6 Lake Street,

Lawrence, MA 01841

Tel: 1-800-446-1158 or

(978) 620-2600

Fax: (978) 689-0803

MSC – Ireland

Gort Road Business Park,

Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044

Fax: +353 (0) 65 6822298

Website:

www.microsemi.com

Operating & Storage Junction Temperature Range

Notes:

1. See

figure 1.

2. See

figure 2.

T4-LDS-0056-2, Rev. 1 (121223)

Page 1 of 8

JANSP2N3501UB相似产品对比

	JANSP2N3501UB	JANSR2N3501UB	JANSD2N3501UB/TR	JANSD2N3501UB	JANSM2N3501UB	JANSM2N3501UB/TR	JANSL2N3501UB/TR	JANSL2N3501UB	JANSP2N3501UB/TR
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor,	Small Signal Bipolar Transistor,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor,
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	,	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	,	,	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	,
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi	-	-	Microsemi	Microsemi	Microsemi
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	-
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-	-	HIGH RELIABILITY	-
最大集电极电流 (IC)	0.3 A	0.3 A	-	0.3 A	0.3 A	-	-	0.3 A	-
集电极-发射极最大电压	150 V	150 V	-	150 V	150 V	-	-	150 V	-
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE	-
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	-	20	20	-	-	20	-
JESD-30 代码	R-CDSO-N3	R-CDSO-N3	-	R-CDSO-N3	R-CDSO-N3	-	-	R-CDSO-N3	-
JESD-609代码	e4	e4	-	e4	e4	-	-	e4	-
元件数量	1	1	-	1	1	-	-	1	-
端子数量	3	3	-	3	3	-	-	3	-
最高工作温度	200 °C	200 °C	-	200 °C	200 °C	-	-	200 °C	-
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-	SMALL OUTLINE	-
极性/信道类型	NPN	NPN	-	NPN	NPN	-	-	NPN	-
认证状态	Qualified	Qualified	-	Qualified	Qualified	-	-	Qualified	-
参考标准	MIL-19500; RH - 30K Rad(Si)	MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)	-	MIL-19500; RH - 10K Rad(Si)	MIL-19500; RH - 3K Rad(Si)	-	-	MIL-19500; RH - 50K Rad(Si)	-
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	-	-	YES	-
端子面层	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrie	-	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	-	-	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	-
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	-	-	NO LEAD	-
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	-	-	DUAL	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	-	-	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	-	-	SILICON	-
最大关闭时间（toff）	1150 ns	1150 ns	-	1150 ns	1150 ns	-	-	1150 ns	-
最大开启时间（吨）	115 ns	115 ns	-	115 ns	115 ns	-	-	115 ns	-
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	-	-	-

推荐资源

电压跟随器的问题: 我的电压跟随器出现了输出比输入大的现象，该现象是从输入超过1.6V之后出现的，在超过1.6V之后电压跟随器的放大倍数大约为1.2倍。顺便说一下，运放芯片是AD8642，电源电压是3.3V。请求高手指教 ......; uestclgj 模拟电子

McBSP串口配置汇编语言程序中的变量: McBSP串口配置的关键时序主要是寄存器SPCR2 的配置：在保持RRST、XRST、FRST各位为0的前提下，配置好其它串口控制寄存器。等待至少2个CLKR/T时钟以确保DSP内部的同步。 (1 ......; Jacktang 微控制器 MCU

ISE13.2编程时错误怎么处理: ERROR:HDLCompiler:69 - "C:\Documents and Settings\counter\top.vhd" Line 51: <rising_edge> is not declared.ERROR:HDLCompiler:69 - "C:\Documents and Settings\counter\top.vhd" Lin ......; 海棠未眠 FPGA/CPLD

又挂了一颗STM32: Flash的10KCycle又到期了...; xxlest stm32/stm8

STM32F107VC-PTK问题: 香版ST巡回会上那个以太网107板子（不是STM3210C-EVAL） STM32F107VC-PTK 这款以太网的开发板我已经拿到手里应该就是所说的国内版吗(manley)? 刚才测试了下基本功能 SD usb ADC ......; sunsink stm32/stm8

stm32f1 CAN通讯正常模式无法收发数据环回模式正常接收: 本帖最后由清风烈酒于 2018-1-17 09:46 编辑使用stm32f107芯片库函数，配置环回模式能够正常发送接收；修改为正常模式，用单步调试查看到程序运行到这条语句 CANx->sTxMailBox.TIR |= ......; 清风烈酒 stm32/stm8

通过串口利用printf函数输出数据

　　一。printf函数格式　　printf函数具有强大的输出功能　　%表示格式化字符串输出　　目前printf支持以下格式的输出，例如：　　printf( %c ,a);输出单个字符。　　printf( %d ,a);输出十进制整数。　　printf( %f ,a);输出十进制浮点数. 　　printf( %o ,a);输出八进制数。　　printf( %s ,a);输出字符串。...[详细]
智能座舱新“赛点”开局！巨头争夺下一风口话语权

全新一代座舱平台量产进程已经开启，智能座舱市场进入了技术迭代、平台升级的新红利周期。日前，上汽通用正式宣布，别克高端新能源子品牌“至境”首款智能豪华轿车——别克至境L7将搭载高通8775座舱芯片，预计今年下半年量产落地。另外最新消息显示，德赛西威第五代智能座舱G10PH已获得理想汽车新项目订单，并受到多家全球顶级主机厂的高度关注。资料显示，该平台可集成4-8B VLA大模型与云端高阶...[详细]
语音识别技术原理简介

语音识别技术原理简介自动语音识别技术(Auto Speech Recognize，简称ASR)所要解决的问题是让计算机能够“听懂”人类的语音，将语音中包含的文字信息“提取”出来。ASR技术在“能听会说”的智能计算机系统中扮演着重要角色，相当于给计算机系统安装上“耳朵”，使其具备“能听”的功能，进而实现信息时代利用“语音”这一最自然、最便捷的手段进行人机通信和交互。语音识别技术所面临的问题...[详细]
家电设计——安全至关重要！

　　我们正进入人类能以更低廉价格拥有更多电子产品的新时代。电子产品已经成为我们生活的必需品。举例来说，普通消费者现在都拥有冰箱、洗衣机、咖啡机等。将分离式IC带来的智能特性集成到电器中，能够改进用户体验，提供电子控制、触摸用户界面和高级显示等功能。这些特性非常有用，而安全性也是消费者关注的重点。没有人希望电器构成安全威胁。　　目前许多家用电器都采用微控制器，如果微控制器出现问题，就可能发生...[详细]
台积电遭 28 名美国亚利桑那工厂员工起诉

8 月 25 日消息，台积电作为全球领先的芯片代工制造商，其在美国亚利桑那州建设芯片制造工厂的决定备受瞩目。台积电主要为无晶圆厂（fabless）的芯片设计公司生产芯片，这些公司包括苹果、英伟达、高通、联发科、博通和 AMD 等科技巨头。美国一直渴望在半导体领域实现自给自足，而台积电的这一举措被视为重要一步。特朗普政府为台积电在美国建厂铺平了道路，拜登总统则通过签署《芯片与科学法案》提供了数十...[详细]
高阶辅助驾驶普及拐点已至，谁能占据智驾市场头筹？

在汽车智能化变革的浪潮中，高阶辅助驾驶正从前沿科技逐渐走进大众视野，成为行业竞争的新高地。2025年，被业内广泛视为高阶辅助驾驶普及的关键拐点，市场竞争愈发激烈，各大企业纷纷发力，试图在这片充满潜力的市场中抢占先机。近期，地平线HSD先锋体验日成为行业焦点，其发布的全新版本，以一段式端到端+强化学习技术为核心，基于征程6P强大的算力基座，为用户带来了前所未有的拟人辅助驾驶体验，被誉为“中国...[详细]
嵌入式大佬给你分析stm32串口

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
基于VFW的成像声纳视频压缩存储设计

　　引言　　声纳成像在海洋资源开发和海洋防卫等方面有着重要的意义，具有作用距离远、直观显示观测区域状况和识别目标等特点，被广泛地应用于军事、经济领域。在成像声纳系统的设计过程中，为了实现对目标更为细腻的刻画，系统的角度和距离分辨率指标往往都很高。本文设计的成像声纳的相关技术指标为：量程100m，视角90°×20°，波束数538，波束间距0.17°，量程分辨率：2.5cm，最高帧率：15Hz。在...[详细]
“Wave”家电控制指环

引言　　智能家庭这一概念正在逐步发展并被市场接受。我们认为其终极形式在于所有家电的基于开放接口的互联互通，但基于目前的市场情况来看，各个家电厂商在开放接口方面表现的十分不积极。在这种环境下，一个通用的家电控制平台无疑是很有市场前景的。尤其是结合了体感手势控制技术以后，“Wave”家电控制指环将提供更加自然的用户体验，更容易被市场所接受。 1 系统设计　　“Wave”家电控制指环的主题最初...[详细]
新能源汽车整晚充电会导致电线发热起火吗

充电对于新能源汽车的使用来说，都不陌生，而作为电池的能量补给的方式来源来说，充电桩是个很重要的装置，新能源汽车充电分为快充和慢充，而一般来说，都会白天使用，利用晚上的时间对于车辆进行补电，根据充电时间来说，慢充需要5到8个小时才可以充满。充的时间过长，如整晚充电会不会导致电线发热起火？在使用的时候是无需担心的，根据车辆的充电装置来说，车辆充电器是带有自动断电功能，无论是慢充充电桩也好，还是...[详细]
有R型电源变压器，再也不怕电压不合适！

在日常R型电源变压器运行中，随着使用设备的调整，使用的电压也有所变化，所以有人就会问了，那这个时候的变压器能修改电压吗？答案是可以的，一般情况下，变压器的电源电压不得超过额定值±5%，变压器可以在额定负荷下运行。那电源变压器是如何改变电压的呢？下面我们一起来看看。电源变压器不仅具有普通的电压变换功能，还具有绝缘隔离和功率传输功能；为了更好地实现这些功能，我们应该注意变压器的几个参数。首先是...[详细]
MCX E系列5V MCU发布：应对严苛环境，保障系统安全

MCX E系列是恩智浦丰富的MCX产品组合中最注重可靠性与安全性的系列。随着该系列的推出，恩智浦进一步丰富了其5V兼容的MCU产品线，为从3V到5V的设计提供一致的开发体验，帮助工程师在复杂环境中打造高可靠性的系统。随着边缘应用所处的环境日益严苛，对微控制器的韧性也提出了更高要求。MCX E系列应运而生，基于 Arm ® Cortex ® -M4F内核，专为在电气和热环境极端复杂的场景中...[详细]
福特汽车申请车门防撞击系统专利

据外媒报道，福特汽车（Ford Motor）已向美国专利社保局（USPTO）申请一项车门防撞击系统专利，该系统可能应用于未来的福特汽车。该专利于2024年2月9日提交，并于2025年8月14日发布，序列号为0256665。图片来源：USPTO 福特最近提交了一些颇具意义的专利，其中许多旨在防止特定部件被盗，甚至防止车辆打滑。多年来，=许多人经常遇到的另一个问题是，停车场里有人打开车门...[详细]
关于STM32单片机的IAP实现

一、基础概念什么是IAP？IAP即在应用中编程(In-Application Programming IAP)，简单的说就像是一个用户自定义的升级程序。实际上，STM32单片机的程序烧写有多种方法，可以用JTAG，也可用串口通过ISP软件烧写新程序。 JTAG的方式需要专用的烧写工具，在产品布置到现场后，更新产品程序比较麻烦，而通过串口的ISP软件升级方法可以直接使用常见的串口线升级程序，十...[详细]
高频开关整流器用功率管是啥

自20世纪70年代开关电源实现“20 kHz”的革命之后的一段时间内，虽然在电路技术方面进行了改进和提高，但局限于当时半导体器件工业的发展水平，作为开关电源主要部件的大功率开关管的主要参数均满足不了更高频率、更大功率开关电源的设计要求。高频开关整流器用功率管是什么自20世纪80年代以来大功率、高反压的绝缘栅场效应功率管问世之后，伴随着开关电源专用集成控制电路的应用，已逐步将开关电源的工作...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多