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BC214B: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小66KB，共4页; 制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]; 标准

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BC214B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

BC214B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	320 MHz
VCEsat-Max	0.6 V

BC214B相似产品对比

	BC214B	BC213B	BC213A
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]	CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF	6 pF	6 pF
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200	200	100
JEDEC-95代码	TO-92	TO-92	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	320 MHz	360 MHz	360 MHz
VCEsat-Max	0.6 V	0.6 V	0.6 V

推荐资源

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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