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BC213A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共4页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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BC213A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

BC213A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)360 MHz
VCEsat-Max0.6 V

BC213A相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 200 200
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 360 MHz 360 MHz 320 MHz
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V 0.6 V
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