Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG2101M05-T1FB

NESG2101M05-T1FB: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小94KB，共15页; 制造商NEC(日电)

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NESG2101M05-T1FB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN

NESG2101M05-T1FB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	0.5 pF
集电极-发射极最大电压	5 V
配置	SINGLE
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	17000 MHz

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DATA SHEET

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NESG2101M05

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW)

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05)

FEATURES

• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-

gain amplification

O (1 dB)

= 21 dBm TYP. @ V

= 3.6 V, I

= 10 mA, f = 2 GHz

NF = 0.6 dB TYP., G

= 19.0 dB TYP. @ V

= 2 V, I

= 7 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ V

= 3 V, I

= 50 mA, f = 2 GHz

• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: V

CEO

(absolute maximum ratings) = 5.0 V

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

ORDERING INFORMATION

Part Number

NESG2101M05

NESG2101M05-T1

Quantity

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

Supplying Form

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (Collector), Pin 4 (Emitter) face the perforation side of the tape

Remark

To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

tot

Note

Ratings

13.0

5.0

1.5

100

500

150

−65

to +150

Unit

°C

stg

Note

Mounted on 38

38 mm, t = 0.4 mm polyimide PCB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10190EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published March 2003 CP(K)

Printed in Japan

The mark

•

shows major revised points.

NEC Compound Semiconductor Devices 2002, 2003

NESG2101M05-T1FB相似产品对比

	NESG2101M05-T1FB	NESG2101M05-T1FB-A	NESG2101M05-FB-A	NESG2101M05-FB
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN	THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	0.5 pF	0.5 pF	0.5 pF	0.5 pF
集电极-发射极最大电压	5 V	5 V	5 V	5 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	L BAND	L BAND	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4	R-PDSO-F4
JESD-609代码	e0	e6	e6	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	17000 MHz	17000 MHz	17000 MHz	17000 MHz

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