datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG2101M05-FB-A
PDF数据手册
文档预览

NESG2101M05-FB-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB，共15页
制造商NEC(日电)
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NESG2101M05-FB-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN

NESG2101M05-FB-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量0.5 pF
集电极-发射极最大电压5 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)17000 MHz

文档预览

下载PDF文档
DATA SHEET
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
NESG2101M05
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW)
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05)
FEATURES
• The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-
gain amplification
P
O (1 dB)
= 21 dBm TYP. @ V
CE
= 3.6 V, I
Cq
= 10 mA, f = 2 GHz
NF = 0.6 dB TYP., G
a
= 19.0 dB TYP. @ V
CE
= 2 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ V
CE
= 3 V, I
C
= 50 mA, f = 2 GHz
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: V
CEO
(absolute maximum ratings) = 5.0 V
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
ORDERING INFORMATION
Part Number
NESG2101M05
NESG2101M05-T1
Quantity
50 pcs (Non reel)
3 kpcs/reel
Supplying Form
• 8 mm wide embossed taping
• Pin 3 (Collector), Pin 4 (Emitter) face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
Unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
°
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Note
Ratings
13.0
5.0
1.5
100
500
150
−65
to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
stg
Note
Mounted on 38
×
38 mm, t = 0.4 mm polyimide PCB
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that
this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices
representative for availability and additional information.
Document No. PU10190EJ02V0DS (2nd edition)
Date Published March 2003 CP(K)
Printed in Japan
The mark
•
shows major revised points.
©
NEC Compound Semiconductor Devices 2002, 2003

NESG2101M05-FB-A相似产品对比

NESG2101M05-FB-A NESG2101M05-T1FB-A NESG2101M05-T1FB NESG2101M05-FB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN THIN, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 0.5 pF 0.5 pF 0.5 pF 0.5 pF
集电极-发射极最大电压 5 V 5 V 5 V 5 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4
JESD-609代码 e6 e6 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 17000 MHz 17000 MHz 17000 MHz 17000 MHz

推荐资源

电感反馈振荡器电路

多功能有源滤波放大器

采用互补管的直接耦合电路

LTC1044应用实例负压变换器

5V步降型变换器

全自动充电、电源两用机电路（1）

keil c51串口中断的一个奇怪问题 那位大哥指点下 谢谢
就下面的程序 有2个问题 1,变量k 的值总是0 2,变量k 的存储类型为DATA 时串口中断不能发生(为 PDATA时就可以发生中断但k的值还是0;..........这都是硬件测试的 ......
zoling 嵌入式系统
2016年终总结 之 路漫长，年近三十又何妨
本帖最后由 RF-刘海石 于 2017-10-30 12:51 编辑 时光在忙碌中流走 航程在憧憬中前行 梦幻的2016 我向你挥手。。。。。。 时光荏苒，岁月如梭，马不停蹄地向前奔。2016年接近尾 ......
RF-刘海石 聊聊、笑笑、闹闹
车展上看到了所谓的新卡罗拉，也不怎么样嘛
车展上体验了卡罗拉一把，外观方面，卡罗拉较老款花冠虽有了些许变化，但尾部设计还留有一些老款花冠的影子，显得有些臃肿。外观没有太多的亮点，总体来讲中规中矩，至于大灯上的那条缝的真正作 ......
清新 无线连接
分享一下wifi模块，ESP8266的资料！！！
关于ESP8266的一些资料，有兴趣的可以看一下，给大家分享分享，只有1芯币，不贵吧呢？ ...
wikelallala 单片机
ad9852余弦输出和DAC输出有何区别？
ad9852余弦输出和DAC输出有何区别 ...
caijianfa55 模拟电子
提问+mp430型号的选择
想找一个有USART借口和温度传感器的，有电源检测功能430芯片需要选哪一个，求知情人告知。...
泪葬花影 51单片机
器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

  1. 3-5102321-3
  2. 240-031-3-15PCE2R5U
  3. 2M804-004-00Z110-5PC
  4. 790-044SE-7P3MENB
  5. DIF060H00-00C0
  6. SOT-DIV23LF-02-62R0-5102-FA
  7. TMM-114-01-F-D-RA-011
  8. 1206J0250272KXR
  9. P6SMB47_R2_00001
  10. MTP125-205R1
  11. 0603WAJ091JT5E
  12. AR05BTCW0300

开源项目推荐更多

  1. NCP1422GEVB：最高 800 mA DC-DC 转换器评估板
  2. WRL-15663，基于 ESP32 WROOM 的 SparkFun Thing Plus 开发套件
  3. 使用 Analog Devices 的 LT3467ES6 的参考设计
  4. OM15020: 面向ZigBee的JN5169 USB Dongle
  5. DC1749B，使用 LT8610、42V、2.5A 微功率同步降压稳压器的演示板
  6. 使用 PIC16C923 和 CS5460 应用电路的瓦时计
  7. LTC2924，灵活的电源排序和监控
  8. DC1854A，使用 LT8471EFE 双输出、降压和反相转换器的演示板
  9. ADP2139CB-1.5EVALZ，ADP2138 评估板，800 mA，输出电压 1.5 V，3 MHz 降压稳压器
  10. LD1117A低压降固定可调正稳压器典型应用电路

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. STM32F103C8T6+温湿度传感器DHT11实现温湿度采集
  2. 中芯国际被拉闸限电？官方回应
  3. 芯片荒何时缓解？巨头们这样说
  4. Socionext以高性能平台化SoC重塑出行方式
  5. 武汉小安科技采用u-blox M10高精度GNSS定位技术
  6. 基于单片机的多功能电子密码锁系统设计
  7. 利用89C51单片机和MAX485实现数据远程采集系统的设计
  8. 采用FAT16文件系统的嵌入式温度记录器

技术资料推荐更多

  1. Inductors And Transformers For Power Electronics
  2. 闭环反激式开关电源小信号模型分析
  3. 直流侧APF主电路参数与补偿性能的关系
  4. 电流型升压PWM开关电源的研究与设计
  5. RFID Handbook
  6. 高效率低待机功耗便携式设备电源方案
  7. 脉宽调制控制电路
  8. 101_条_Verilog_和_SystemVerilog_设计陷阱
  9. 微处理器体系结构
  10. 电流型驱动同步整流LLC谐振变换器的研究和设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1233  1921  1084  1148  1290  23  50  1  15  16 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved