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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NEZ5964-8DL
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NEZ5964-8DL

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB，共6页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NEZ5964-8DL概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN

NEZ5964-8DL规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压10 V
最大漏极电流 (ID)3 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

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C-BAND INTERNALLY
MATCHED POWER GaAs MESFET
FEATURES
•
HIGH P
OUT
18W (42.5 dBm) Typ P
1dB
for NEZ5964-15D/15DL
9W (39.5 dBm) Typ P
1dB
for NEZ5964-8D/8DL
4.5W (36.5 dbm) Typ P
1dB
for NEZ5964-4D/4DL
HIGH EFFICIENCY
37%
η
ADD
for 4.5W Device
35%
η
ADD
for 9W Device
33%
η
ADD
for 18W Device
LOW IMD
-45 dBc IM
3
@ 31.5 dBm P
OUT
(SCL) -15DL
-45 dBc IM
3
@ 29 dBm P
OUT
(SCL) -8DL
-45 dBc IM
3
@ 26 dBm P
OUT
(SCL) -4DL
SiO
2
PASSIVATED CHIP
For Power/Gain Stability Under RF Overdrive
CLASS A OPERATION
INTERNALLY MATCHED (IN/OUT)
SUPERIOR GAIN FLATNESS
INDUSTRY COMPATIBLE HERMETIC PACKAGES
= 25°C)
NEZ5964-4D
NEZ5964-4DL
T-61
UNITS MIN
dBm
dBm
dBm
%
A
dB
dBc
dBc
dBc
A
V
V
V
V
V
V
mS
mS
mS
°C/W
°C
35.5
NEZ5964-8D
NEZ5964-8DL
T-61
45
NEZ5964-15D
NEZ5964-15DL
NEZ5964-8D
NEZ5964-8DL
NEZ5964-4D
NEZ5964-4DL
OUTPUT POWER AND EFFICIENCY
vs. INPUT POWER
100%
-15D
-8D
40
P
OUT
-4D
35
60%
80%
•
•
-4D
30
-8D
-15D
25
Efficiency
20
12
17
22
27
32
37
0%
20%
40%
•
•
•
•
•
Input Power, P
IN
(dBm)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
PART NUMBER
PACKAGE OUTLINE
SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS
P
1dB
Output Power at P
IdB1
I
DSQ
= 0.8A, (RF Off)
I
DSQ
= 1.6A
I
DSQ
= 4.0A
NEZ5964-15D
NEZ5964-15DL
T-65
TYP MAX TEST CONDITIONS
V
DS
= 10V
f = 5.9
to 6.45 GHz
6.0
Zs = Z
L
50 ohms
V
DS
= I0V
f
1
= 6.44 GHz
f
2
= 6.45 GHZ
2 Equal Tones
TYP MAX MIN
36.5
38.5
37
1.1
10.0
-45
TYP MAX MIN
39.5
41.5
42.5
33
4.4
9.0
35
2.2
9.5
Power Added Efficiency @ P
1dB
I
DS
Drain Current at P
1dB
Linear Gain
G
L
IM
3
3rd Order Intermodulation Distortion
3
at
-XDL Pout = 26 dBm SCL
2
, I
DSQ
= 0.5 x I
DSS
Option Pout = 29 dBm SCL
2
, I
DSQ
= 0.5 x I
DSS
Only Pout = 31.5 dBm SCL
2
, I
DSQ
= 0.5 x I
DSS
I
DSS
Saturated Drain Current, V
GS
= 0 V
V
P
Pinch Off Voltage
I
DS
= 15 mA
I
DS
= 30 mA
I
DS
= 60 mA
BV
DGO
Drain - Gate Breakdown Voltage
I
DG
= 15 mA
I
DG
= 30 mA
I
DG
= 60 mA
g
m
Transconductance
I
DS
= I A
I
DS
= 2 A
I
DS
= 4 A
R
TH(CH-C)
Thermal Resistance (Channel to Case)
∆T
(CH-C)
Channel Temperature Rise
4
η
ADD
1.5
8.5
-42
3.0
8.0
9.0
-45
1.0
-3.5
2.3
-2.0
3.5
-0.5
-3.5
-2.0
2.0
4.5
-42
7.0
4.0
-45
9.2
-42
14.0
V
DS
= 2.5 V
-0.5
-3.5
-2.2
-0.5
20
22
20
22
20
1300
2600
5.0
6.0
48
2.5
3.0
48
5200
1.3
1.5
60
22
Notes:
1. P
1dB
: Ouptut Power at the 1dB Gain Compression Point.
2. SCL: Single Carrier Level.
3. Maximum Spec Applies to -XDL Option Only.
4.
∆T
(CH-C)
= T
CH
- T
C
= 10 V x I
DSQ
x R
TH (CH-C) MAX
.
California Eastern Laboratories
Power Added Efficiency,
η
ADD
(%)
Output Power, P
OUT
(dBm)

NEZ5964-8DL相似产品对比

NEZ5964-8DL NEZ5964-15D NEZ5964-15DL NEZ5964-4D NEZ5964-4DL NEZ5964-8D
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN
厂商名称 California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs California Eastern Labs
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V
最大漏极电流 (ID) 3 A 6 A 6 A 1.5 A 1.5 A 3 A
FET 技术 METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR METAL SEMICONDUCTOR
最高频带 C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE

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