Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NEZ5964-4D

NEZ5964-4D: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小66KB，共6页; 制造商California Eastern Labs; 官网地址http://www.cel.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

NEZ5964-4D概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN

NEZ5964-4D规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	California Eastern Labs
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	10 V
最大漏极电流 (ID)	1.5 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	C BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	25 W
最小功率增益 (Gp)	9 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

C-BAND INTERNALLY

MATCHED POWER GaAs MESFET

FEATURES

•

HIGH P

OUT

18W (42.5 dBm) Typ P

1dB

for NEZ5964-15D/15DL

9W (39.5 dBm) Typ P

1dB

for NEZ5964-8D/8DL

4.5W (36.5 dbm) Typ P

1dB

for NEZ5964-4D/4DL

HIGH EFFICIENCY

37%

ADD

for 4.5W Device

35%

ADD

for 9W Device

33%

ADD

for 18W Device

LOW IMD

-45 dBc IM

@ 31.5 dBm P

OUT

(SCL) -15DL

-45 dBc IM

@ 29 dBm P

OUT

(SCL) -8DL

-45 dBc IM

@ 26 dBm P

OUT

(SCL) -4DL

SiO

PASSIVATED CHIP

For Power/Gain Stability Under RF Overdrive

CLASS A OPERATION

INTERNALLY MATCHED (IN/OUT)

SUPERIOR GAIN FLATNESS

INDUSTRY COMPATIBLE HERMETIC PACKAGES

= 25°C)

NEZ5964-4D

NEZ5964-4DL

T-61

UNITS MIN

dBm

dBc

°C/W

°C

35.5

NEZ5964-8D

NEZ5964-8DL

T-61

NEZ5964-15D

NEZ5964-15DL

NEZ5964-8D

NEZ5964-8DL

NEZ5964-4D

NEZ5964-4DL

OUTPUT POWER AND EFFICIENCY

vs. INPUT POWER

100%

-15D

-8D

OUT

-4D

60%

80%

•

-4D

-8D

-15D

Efficiency

20%

40%

•

Input Power, P

(dBm)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

PART NUMBER

PACKAGE OUTLINE

SYMBOLS PARAMETERS AND CONDITIONS

1dB

Output Power at P

IdB1

DSQ

= 0.8A, (RF Off)

DSQ

= 1.6A

DSQ

= 4.0A

NEZ5964-15D

NEZ5964-15DL

T-65

TYP MAX TEST CONDITIONS

= 10V

f = 5.9

to 6.45 GHz

6.0

Zs = Z

50 ohms

= I0V

= 6.44 GHz

= 6.45 GHZ

2 Equal Tones

TYP MAX MIN

36.5

38.5

1.1

10.0

-45

TYP MAX MIN

39.5

41.5

42.5

4.4

9.0

2.2

9.5

Power Added Efficiency @ P

1dB

Drain Current at P

1dB

Linear Gain

3rd Order Intermodulation Distortion

-XDL Pout = 26 dBm SCL

, I

DSQ

= 0.5 x I

DSS

Option Pout = 29 dBm SCL

, I

DSQ

= 0.5 x I

DSS

Only Pout = 31.5 dBm SCL

, I

DSQ

= 0.5 x I

DSS

Saturated Drain Current, V

= 0 V

Pinch Off Voltage

= 15 mA

= 30 mA

= 60 mA

DGO

Drain - Gate Breakdown Voltage

= 15 mA

= 30 mA

= 60 mA

Transconductance

= I A

= 2 A

= 4 A

TH(CH-C)

Thermal Resistance (Channel to Case)

∆T

(CH-C)

Channel Temperature Rise

ADD

1.5

8.5

-42

3.0

8.0

9.0

-45

1.0

-3.5

2.3

-2.0

3.5

-0.5

-3.5

-2.0

2.0

4.5

-42

7.0

4.0

-45

9.2

-42

14.0

= 2.5 V

-0.5

-3.5

-2.2

-0.5

1300

2600

5.0

6.0

2.5

3.0

5200

1.3

1.5

Notes:

1. P

1dB

: Ouptut Power at the 1dB Gain Compression Point.

2. SCL: Single Carrier Level.

3. Maximum Spec Applies to -XDL Option Only.

∆T

(CH-C)

= T

- T

= 10 V x I

DSQ

x R

TH (CH-C) MAX

California Eastern Laboratories

Power Added Efficiency,

ADD

(%)

Output Power, P

OUT

(dBm)

NEZ5964-4D相似产品对比

	NEZ5964-4D	NEZ5964-15D	NEZ5964-15DL	NEZ5964-4DL	NEZ5964-8DL	NEZ5964-8D
描述	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-65, 2 PIN	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, T-61, 2 PIN
厂商名称	California Eastern Labs	California Eastern Labs	California Eastern Labs	California Eastern Labs	California Eastern Labs	California Eastern Labs
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V
最大漏极电流 (ID)	1.5 A	6 A	6 A	1.5 A	3 A	3 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	C BAND	C BAND	C BAND	C BAND	C BAND	C BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2	R-CDFM-F2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

推荐资源

【CN0234】使用电化学传感器的单电源、微功耗有毒气体探测器: 电路功能与优势图1所示电路是使用电化学传感器的单电源、低功耗、电池供电、便携式气体探测器。本示例中使用Alphasense CO-AX一氧化碳传感器。对于检测或测量多种有毒气体浓度的仪器，电化学 ......; EEWORLD社区 ADI 工业技术

beaglebone的GPIO配置问题，求指教！？: 有哪位朋友知道！我做GPIO配置的时候，为什么 /sys/kernel/debug/目录下是空的！？看到资料/sys/kernel/debug/omap_mux目录下应该有每个GPIO的配置信息的！哦！忘记说了！我的板子是beag ......; wuyanyanke DSP 与 ARM 处理器

小弟刚学单片机，在做测距模块时遇上不懂的地方，请大家帮忙看看，谢谢。。: 最近想用HC-SR04测距模块测距并在1602中显示距离，但是当测距距离大于60cm时出现错误，本人才疏学浅，经过反复调试后，仍找不到问题所在，请大家帮忙看看，谢谢。。...; RJPAN 51单片机

iesample与iesimple浏览器问题！: 嘿各位！在CE5.0上通过GPRS连接上网，当设置APN为CMNET的时候，WWW和WAP网站都能上，但是如果设置为CMWAP用我们的浏览器（仿照iesimple做的）就不能浏览网站，如果用微软自带的浏览器（ie ......; yuyangln198 嵌入式系统

MSP430与PC机的远程通信及液晶显示: 概述在微机测控系统中，用作上位机的PC机系统与用作下位机的单片机之间经常要进行信息交换。目前的主流单片机和PC机内部均带有串行口，因而两者之间的通信可通过串行口完成。但是，在实际应用 ......; frozenviolet 汽车电子

Vxworks 中 tcp链接 client 端 recv时如何设置超时等待？: 最近做嵌入式网络通信客户端在等待接受信息时如果服务器端异常断开无法判断已断开网络 recv函数一直傻等如何设置才可以避免其陷入等待？谢谢...; atghjiq 实时操作系统RTOS

USART波特率 vs SPI速率--学习笔记

　　本篇文章将与大家探讨USART波特率 vs SPI速率。这里提出一个问题，为什么USART的波特率是内核时钟的1/8或者1/16，而SPI最快的频率可以是内核时钟的1/2。　　请大家带着这个问题来阅读本文。　　　　串口和SPI内部时钟　　在回答上面问题之前，需要先了解STM32内部时钟的概念，尤其是串口和SPI的内部时钟。　　STM32里包含有系统时钟、AHB时钟和APB时钟...[详细]
什么是柔性供料？柔性视觉供料系统的工作原理？

在电子行业蓬勃发展的今天，视觉系统成为了电子自动化行业中的佼佼者，而本身电子产品的”娇贵体质”往往在生产检验过程中，与产品的接触或力度过大等，都会影响到产品的良率。因此当视觉系统与柔性供料两者相结合后，更是成为了电子行业的”香饽饽”。随着各类电子产品越来越多的市场需求，柔性供料与视觉系统成为了电子产品生产线上的一对经典搭配。那么柔性供料与传统振动盘供料会有什么区别呢？什么是柔性上料？视觉系...[详细]
传四维图新收购鉴智机器人进入最后阶段，发力中高阶智驾方案

8月24日消息，据媒体从不同人士处获悉，A股上市公司四维图新拟收购智驾公司鉴智机器人，进度接近完成。四维图新回复表示请以官方信息为准。截至发稿前，鉴智机器人未有回应。　　报道称，作为国内最大数字地图提供商，四维图新从2021年开始发展智驾ADAS业务，并于2023年立下转型为智能驾驶Tier1的发展战略。它每年都增大对智驾业务的投入，扩充智驾团队规模，引进高级智驾人才，并寻找可收购标...[详细]
“速度与激情“高清监控下双码流回放技术

今天的安防行业，已经进入所谓的大联网时代。许多企业特别是金融机构都已经建立了多级视频监控联网平台。利用遍布全国的网络，金融机构的总部可以随时调用各分支机构的监控录像。然而，在现实应用中，由于带宽的限制，许多企业在进行高清监控的情况下，就无法满足低网速下的远程调用需求。“速度与激情”在中国的安防行业似乎无法兼顾。鉴于这种情况，蓝色星际在国内率先推出了“双码流回放技术”，这种技术可实时导出高、低分辨...[详细]
基于8051内核的远程直流电源监控系统设计

1 Introduction In the mid-1960s, American scientist Maas conducted extensive experimental research on the charging process of open-cell batteries and proposed an acceptable charging curve for ...[详细]
智能座舱Tier1研究：AI座舱新产品层出不穷，助力座舱全场景生态布局

佐思汽研发布《2025年智能座舱 Tier1研究报告（国内篇）》。本报告主要是对中国十几家座舱Tier1企业经营情况、座舱计算平台、座舱软件系统方案、 AI大模型、人机交互、座舱显示、座舱视觉、车载通讯、网联系统等座舱业务相关产品与方案的布局现状、创新产品以及发展趋势进行分析，以探究智能座舱市场创新方向和发展演进路线。主要智能座舱创新产品发展演进趋势 AI座舱域控、舱驾...[详细]
超拟人Eva上车，吉利要把汽车变成具身智能生命体！

2025年的汽车行业，正在迎来一场彻底的智能化洗牌。吉利在AI座舱领域想要做出变革：今后吉利的产品线中，将不存在不具备AI能力的传统智能座舱。这是一次“先破后立”。如何做到？吉利给出的答案是“全域AI”，并以此搭建了行业首个五层原生AI座舱架构。在这个架构中，硬件不再只是算力的堆砌，而是与大模型、情感计算、智能体生态深度融合，最终形成一个会思考、能理解、可陪伴的具身智能生命体。...[详细]
单片机开发过程中遇到的关于串口的若干问题

最近做了一个项目，涉及到了串口，本来以为像串口这种经常使用的通讯方式，开发起来应该是很简单的，不说易如反掌，至少也不应该在一个问题上卡壳太久。说到底还是自己经验不足，还得多多学习才是！该项目是使用CubeMX生成的初始化代码，在配置串口的时候我格外小心，该配置的都配置了，但是生成代码后烧到单片机中，却发现串口接收数据出现问题，只能接收到一次数据，后面无论如何都接收不到了。但是我已经在串口初...[详细]
英飞凌低噪声放大器在无线数据接收中的应用

　　2014年6月，工信部向联通和电信颁发4G FD-LTE牌照，加上在此之前发放给移动、联通、电信的4G TD-LTE牌照，这意味着国内三大运营商全面进入4G商用化时代，同时各大手机制造商纷纷推出多模、多频的LTE手机和终端，目前国内LTE用户规模已经达到5,000万。　　相对于3G而言，4G LTE能够提供更大的信道容量，手机用户可以享用更高的数据下载速率，在FD-LTE 20MHz...[详细]
STM32-电源控制、低功耗模式

STM32的电源控制 STM32的电源框图 STM32的工作电压（VDD）为2.0～3.6V。通过内置的电压调节器提供所需的1.8V电源。当主电源VDD掉电后，通过VBAT脚为实时时钟(RTC)和备份寄存器提供电源。下面是STM32的电源框图：注意：框图中的VDDA和VSSA必须分别联到VDD和VSS。独立的A/D转换器供电和参考电压为了提高转换的精确度，ADC使用一个独立的...[详细]
ADI 2025三财季业绩超预期，工业业务复苏强劲，机器人是未来

ADI举行了 2025 财年第三季度财报电话会议。首席执行官兼董事会主席 Vincent T. Roche 与执行副总裁兼首席财务官 Richard C. Puccio 共同出席，就公司季度业绩、业务发展及未来展望进行了详细阐述。财务业绩强劲，多领域增长超预期第三季度财务数据：收入 28.8 亿美元，超预期上限，环比 + 9%，同比 + 25%。工业业务占 45%，环比...[详细]
以高整合度混合信号单片机实现两线式Force Sensor应用设计

　　1. 内容简介　　在2015年，苹果新一代的MacBook和Apple Watch皆搭载压力触控感应技术，它被Apple称为Force Touch，用户每次按下触控板之后除了可以在萤幕看见视觉回馈，它同时能够分辨出用户点按的力度强弱来做出一系列的相关操控与应用。而本文将介绍以HY16F184内建高精密Sigma-delta 24 Bit ADC搭配Uneo Force Sensor来实现一...[详细]
华为问界M7首搭舱内激光视觉方案，可识别锥桶等障碍物

8月20日，华为终端宣布全新问界M7首搭舱内激光视觉方案，该方案相较于主视觉辅助驾驶方案具备更强的主动安全能力，能在恶劣光线环境下精准检测突发状况，新增紧急转向辅助ESA，可识别锥桶等障碍物，提升出行安全。问界M7尺寸为5080×1999×1780mm，轴距3030mm，可选车顶有无激光雷达。无车顶激光雷达的车型将搭载舱内激光方案，号称“行业首发舱内激光”。华为智能汽车解决方案BU CEO靳玉志...[详细]
【E课堂】你真了解内存吗？奥秘居然这么多

　　内存相信大家都听说过，电脑速度慢了也许身边的高手会建议我们升级更大容量的内存。那么电脑内存究竟是干什么用的呢?内存容量高低为什么会影响电脑的运行速度呢?这里面有不少的奥秘，不过董师傅相信大家读完下面这篇文章，一切都会明白了。　　带你先认识一下内存　　内存，也叫内存储器，是一种快速存储设备，在计算机角色扮演里占据着核心的位置。现在的内存条是一块长方形薄片状的电路板，上面焊接有很多黑色“...[详细]
采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

1. 简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1-1 所示。图 1-1. 微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PFC），将光伏电池板提供的直流电转换为通常在 400VDC 左右的临时直流总线。然后，根据国家或地区的电网情况，将直流总线转换为交流电压 (110VAC...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多