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NE6510179A-TI

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共2页
制造商NEC(日电)
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NE6510179A-TI概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET,

NE6510179A-TI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (ID)2.8 A
FET 技术JUNCTION
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CQMW-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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