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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PTFA071701EV4R250
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PTFA071701EV4R250

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, CERAMIC, H-36248-2, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小245KB，共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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PTFA071701EV4R250概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, CERAMIC, H-36248-2, 2 PIN

PTFA071701EV4R250规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

PTFA071701EV4R250相似产品对比

PTFA071701EV4R250 PTFA071701FV4R250 PTFA071701FV4 PTFA071701EV4
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, CERAMIC, H-36248-2, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, CERAMIC, H-37248-2, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, CERAMIC, H-37248-2, 2 PIN RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, CERAMIC, H-36248-2, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HGH RELIABILITY HGH RELIABILITY HGH RELIABILITY HGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE SOURCE SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V 65 V 65 V 65 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 R-CDFP-F2 R-CDFP-F2 R-CDFM-F2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLATPACK FLATPACK FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)

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