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HN62422P

产品描述MASK ROM, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40
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文件大小130KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN62422P概述

MASK ROM, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40

HN62422P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP40,.6
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
备用内存宽度16
JESD-30 代码R-PDIP-T40
JESD-609代码e0
长度52.8 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm

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HN62422P相似产品对比

HN62422P HN62412FP HN62422FP HN62422TFP HN62412P HN62412TFP
描述 MASK ROM, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 MASK ROM, 256KX8, 200ns, CMOS, PQFP44, PLASTIC, QFP-44 MASK ROM, 256KX8, 150ns, CMOS, PQFP44, PLASTIC, QFP-44 MASK ROM, 256KX8, 150ns, CMOS, PQFP44, PLASTIC, TQFP-44 MASK ROM, 256KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 MASK ROM, 256KX8, 200ns, CMOS, PQFP44, PLASTIC, TQFP-44
零件包装代码 DIP QFP QFP QFP DIP QFP
包装说明 DIP, DIP40,.6 QFP, QFP44,.7SQ,32 QFP, QFP44,.7SQ,32 TQFP, DIP, DIP40,.6 TQFP,
针数 40 44 44 44 40 44
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 200 ns 150 ns 150 ns 200 ns 200 ns
备用内存宽度 16 16 16 16 16 16
JESD-30 代码 R-PDIP-T40 S-PQFP-G44 S-PQFP-G44 S-PQFP-G44 R-PDIP-T40 S-PQFP-G44
长度 52.8 mm 14 mm 14 mm 14 mm 52.8 mm 14 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bi 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 44 44 44 40 44
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QFP QFP TQFP DIP TQFP
封装形状 RECTANGULAR SQUARE SQUARE SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 IN-LINE FLATPACK FLATPACK FLATPACK, THIN PROFILE IN-LINE FLATPACK, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3.05 mm 3.05 mm 1.1 mm 5.08 mm 1.1 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.5 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 2.54 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD QUAD DUAL QUAD
宽度 15.24 mm 14 mm 14 mm 14 mm 15.24 mm 14 mm
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 -
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 -
封装等效代码 DIP40,.6 QFP44,.7SQ,32 QFP44,.7SQ,32 - DIP40,.6 -
电源 5 V 5 V 5 V - 5 V -
最大待机电流 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A - 0.00003 A -
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA - 0.05 mA -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) -

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