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HY5PS121621CLFP-S6

产品描述32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA84
产品类别存储    存储   
文件大小611KB,共38页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5PS121621CLFP-S6概述

32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA84

32M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.5 ns, PBGA84

HY5PS121621CLFP-S6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA84,9X15,32
针数84
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e1
长度13 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.5 mm

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HY5PS12421C(L)FP
HY5PS12821C(L)FP
HY5PS121621C(L)FP
512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12421C(L)FP
HY5PS12821C(L)FP
HY5PS121621C(L)FP
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
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