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MBR6035PF

产品描述60A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小142KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MBR6035PF概述

60A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21

MBR6035PF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明O-MUPF-P1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-21
JESD-30 代码O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流60 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式PRESS FIT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
最大反向电流300 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER

MBR6035PF相似产品对比

MBR6035PF MBR6045PF
描述 60A, 35V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 45V V(RRM), Silicon, DO-21,
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 O-MUPF-P1 O-MUPF-P1
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 POWER POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.7 V 0.7 V
JEDEC-95代码 DO-21 DO-21
JESD-30 代码 O-MUPF-P1 O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流 800 A 800 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 60 A 60 A
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 PRESS FIT PRESS FIT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 35 V 45 V
最大反向电流 300 µA 300 µA
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 UPPER UPPER
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