Pseudo Static RAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,6X9,30 |
| 针数 | 54 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 7 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | PSEUDO STATIC RAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| 组织 | 8MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,6X9,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 最大待机电流 | 0.00025 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 6 mm |
| HYE18P128160AF-9.6 | HYE18P128160AF-15 | HYE18P128160AF-12.5 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Pseudo Static RAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 | Pseudo Static RAM, 8MX16, 11ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 | Pseudo Static RAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,6X9,30 | VFBGA, BGA54,6X9,30 | GREEN, PLASTIC, VFBGA-54 |
| 针数 | 54 | 54 | 54 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 7 ns | 11 ns | 9 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B54 | R-PBGA-B54 | R-PBGA-B54 |
| 长度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
| 内存密度 | 134217728 bit | 134217728 bit | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | PSEUDO STATIC RAM | PSEUDO STATIC RAM | PSEUDO STATIC RAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 54 | 54 | 54 |
| 字数 | 8388608 words | 8388608 words | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 | 8000000 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C | -30 °C | -30 °C |
| 组织 | 8MX16 | 8MX16 | 8MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,6X9,30 | BGA54,6X9,30 | BGA54,6X9,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
| 最大待机电流 | 0.00025 A | 0.00025 A | 0.00025 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA | 0.03 mA | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm | 6 mm | 6 mm |
| JESD-609代码 | e1 | e1 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN SILVER COPPER | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - |
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