IDT79R302016JB概述

Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68

IDT79R302016JB规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ,
针数	68
Reach Compliance Code	unknown
JESD-30 代码	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0
长度	24.2062 mm
内存密度	64 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	68
字数	8 words
字数代码	8
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	24.2062 mm

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IDT79R302016JB相似产品对比

	IDT79R302016JB	IDT79R3020-16GB	IDT79R3020-20GB	IDT79R302020JB	IDT79R3020-25GB	IDT79R302025JB
描述	Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68	Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68	Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68	Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68	Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68	Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC	PGA	PGA	LCC	PGA	LCC
包装说明	QCCJ,	CAVITY UP, PGA-68	CAVITY UP, PGA-68	QCCJ,	CAVITY UP, PGA-68	QCCJ,
针数	68	68	68	68	68	68
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	not_compliant	unknown	not_compliant	unknown
JESD-30 代码	S-PQCC-J68	S-CPGA-P68	S-CPGA-P68	S-PQCC-J68	S-CPGA-P68	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	24.2062 mm	29.464 mm	29.464 mm	24.2062 mm	29.464 mm	24.2062 mm
内存密度	64 bit	64 bit	64 bit	64 bit	64 bit	64 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	68	68	68	68	68	68
字数	8 words	8 words	8 words	8 words	8 words	8 words
字数代码	8	8	8	8	8	8
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8X8	8X8	8X8	8X8	8X8	8X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	PGA	PGA	QCCJ	PGA	QCCJ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	GRID ARRAY	GRID ARRAY	CHIP CARRIER	GRID ARRAY	CHIP CARRIER
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm	5.207 mm	5.207 mm	4.57 mm	5.207 mm	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	J BEND	PIN/PEG	PIN/PEG	J BEND	PIN/PEG	J BEND
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	QUAD	PERPENDICULAR	QUAD
宽度	24.2062 mm	29.464 mm	29.464 mm	24.2062 mm	29.464 mm	24.2062 mm

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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