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IDT79R302025JB

产品描述Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
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文件大小481KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT79R302025JB概述

Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68

IDT79R302025JB规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ,
针数68
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
长度24.2062 mm
内存密度64 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
功能数量1
端子数量68
字数8 words
字数代码8
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度24.2062 mm

IDT79R302025JB相似产品对比

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描述 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Memory Circuit, 8X8, CMOS, CPGA68, CAVITY UP, PGA-68
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 LCC PGA LCC PGA LCC PGA
包装说明 QCCJ, CAVITY UP, PGA-68 QCCJ, CAVITY UP, PGA-68 QCCJ, CAVITY UP, PGA-68
针数 68 68 68 68 68 68
Reach Compliance Code unknown not_compliant unknown not_compliant unknown not_compliant
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 S-CPGA-P68 S-PQCC-J68 S-CPGA-P68 S-PQCC-J68 S-CPGA-P68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 24.2062 mm 29.464 mm 24.2062 mm 29.464 mm 24.2062 mm 29.464 mm
内存密度 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit 64 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 68 68 68 68
字数 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words
字数代码 8 8 8 8 8 8
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8X8 8X8 8X8 8X8 8X8 8X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCJ PGA QCCJ PGA QCCJ PGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER GRID ARRAY CHIP CARRIER GRID ARRAY CHIP CARRIER GRID ARRAY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 5.207 mm 4.57 mm 5.207 mm 4.57 mm 5.207 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND PIN/PEG J BEND PIN/PEG J BEND PIN/PEG
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD PERPENDICULAR QUAD PERPENDICULAR QUAD PERPENDICULAR
宽度 24.2062 mm 29.464 mm 24.2062 mm 29.464 mm 24.2062 mm 29.464 mm
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