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SN74AUP3G34RSER

产品描述Low-Power Triple Buffer Gate 8-UQFN -40 to 85
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共22页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74AUP3G34RSER概述

Low-Power Triple Buffer Gate 8-UQFN -40 to 85

SN74AUP3G34RSER规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFN
包装说明VQCCN, LCC8,.06SQ,20
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码S-PQCC-N8
JESD-609代码e4
长度1.5 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUFFER
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
功能数量3
输入次数1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VQCCN
封装等效代码LCC8,.06SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC)0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup25.5 ns
传播延迟(tpd)25.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.5 mm
Base Number Matches1

SN74AUP3G34RSER相似产品对比

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描述 Low-Power Triple Buffer Gate 8-UQFN -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-VSSOP -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-DSBGA -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-X2SON -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-VSSOP -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 QFN SOIC BGA SON SOIC
包装说明 VQCCN, LCC8,.06SQ,20 SSOP-8 DSBGA-8 VSON, SOLCC8,.04,14 VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks 1 week 6 weeks 6 weeks
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 S-PQCC-N8 R-PDSO-G8 R-XBGA-B8 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4 e1 e4 e4
长度 1.5 mm 2.3 mm 1.57 mm 1.4 mm 2.3 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 BUFFER BUFFER BUFFER BUFFER BUFFER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
功能数量 3 3 3 3 3
输入次数 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VQCCN VSSOP VFBGA VSON VSSOP
封装等效代码 LCC8,.06SQ,20 TSSOP8,.12,20 BGA8,2X4,16 SOLCC8,.04,14 TSSOP8,.12,20
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TR TR TR TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
传播延迟(tpd) 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
座面最大高度 0.6 mm 0.9 mm 0.5 mm 0.4 mm 0.9 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD GULL WING BALL NO LEAD GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.4 mm 0.35 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD DUAL BOTTOM DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 1.5 mm 2 mm 0.77 mm 1 mm 2 mm
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
Base Number Matches 1 1 1 - 1
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