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SN74AUP3G34YFPR

产品描述Low-Power Triple Buffer Gate 8-DSBGA -40 to 85
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共22页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74AUP3G34YFPR概述

Low-Power Triple Buffer Gate 8-DSBGA -40 to 85

SN74AUP3G34YFPR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码BGA
包装说明DSBGA-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionLOW-POWER TRIPLE BUFFER GATE
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-XBGA-B8
JESD-609代码e1
长度1.57 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUFFER
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
功能数量3
输入次数1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA8,2X4,16
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC)0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup25.5 ns
传播延迟(tpd)25.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.4 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度0.77 mm
Base Number Matches1

SN74AUP3G34YFPR相似产品对比

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描述 Low-Power Triple Buffer Gate 8-DSBGA -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-VSSOP -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-X2SON -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-UQFN -40 to 85 Low-Power Triple Buffer Gate 8-VSSOP -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 BGA SOIC SON QFN SOIC
包装说明 DSBGA-8 SSOP-8 VSON, SOLCC8,.04,14 VQCCN, LCC8,.06SQ,20 VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
Factory Lead Time 1 week 6 weeks 6 weeks 6 weeks 6 weeks
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-XBGA-B8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8 S-PQCC-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e1 e4 e4 e4 e4
长度 1.57 mm 2.3 mm 1.4 mm 1.5 mm 2.3 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 BUFFER BUFFER BUFFER BUFFER BUFFER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
功能数量 3 3 3 3 3
输入次数 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA VSSOP VSON VQCCN VSSOP
封装等效代码 BGA8,2X4,16 TSSOP8,.12,20 SOLCC8,.04,14 LCC8,.06SQ,20 TSSOP8,.12,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TR TR TR TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
传播延迟(tpd) 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
座面最大高度 0.5 mm 0.9 mm 0.4 mm 0.6 mm 0.9 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 BALL GULL WING NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子节距 0.4 mm 0.5 mm 0.35 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 0.77 mm 2 mm 1 mm 1.5 mm 2 mm
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
Base Number Matches 1 1 - 1 1
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