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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N3251A
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JANTXV2N3251A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N3251A在线购买

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JANTXV2N3251A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN

JANTXV2N3251A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2078586561
零件包装代码BCY
包装说明TO-18, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/323H
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间（toff）300 ns
最大开启时间（吨）70 ns

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TECHNICAL DATA
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/323
Devices
2N3250A
2N3251A
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
,
T
stg
Symbol
(1)(2)
R
θ
JA
Value
60
60
5.0
200
0.36
1.2
-65 to +175
Max.
417
Units
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
W
0
C
Unit
C/W
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1) Derate linearly 2.4 W/
0
C for T
A
> +25
0
C
2) Derate linearly 8.0 W/
0
C for T
C
> +25
0
C
0
TO-39*
(TO-205AD)
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Voltage
V
BE
= 3.0 Vdc, V
CE
= 40 Vdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 60 Vdc
V
CB
= 40 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Voltage
V
BE
= 3.0 Vdc, V
CE
= 40 Vdc
V
(BR)
CEO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
CEX
60
20
10
20
10
50
Vdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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JANTXV2N3251A相似产品对比

JANTXV2N3251A JANTXV2N3250A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Objectid 2078586561 2078586558
零件包装代码 BCY BCY
包装说明 TO-18, 3 PIN TO-18, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 45
JEDEC-95代码 TO-205AD TO-205AD
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.2 W 1.2 W
认证状态 Not Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/323H MIL-19500/323H
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 250 MHz
最大关闭时间（toff） 300 ns 250 ns
最大开启时间（吨） 70 ns 70 ns

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