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1N3296R

产品描述100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小156KB,共1页
制造商Transys Electronics Limited
官网地址http://www.transyselectronics.com
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1N3296R概述

100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA

1N3296R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Transys Electronics Limited
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
Base Number Matches1

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1N3288(R)-1N3297(R)
High Current Rectifier
V
RRM
= 50-1400V, I
F(AV)
= 100 A ,VF = 1.2V
Symbol
A
K
Cathode to Stud Shown
(Anode to Stud add Suffix R)
Cathode to Stud Symbol
MAXIMUM RATINGS
(Tj = 25 C unless stated otherwise)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Average On-State Current
Peak Forward Surge Current
Maximum I
2
T for Fusing
Maximum Storage Temperature Range
Maximum Junction Temperature Range
Symbol
1N3288 1N3289 1N3290 1N3291 1N3292 1N3293 1N3294 1N3295 1N3296 1N3297 Unit
100
200
300
400
500
100
1600
10700
-65 to +200
-65 to +200
600
800
1000
1200
1400
Volt
Amp
Amp
V
RRM
I
F
(AV)
I
FSM
I
2
T
T
(STG)
Tj
A
2
/S
O
C
C
O
ELECTRICAL CHARACTERISICS at
Parameter
Maximum Forward Voltage
Repetitive Peak Off- State Current (1)
Repetitive Peak Off- State Current (2)
Operating Frequency
Thermal Resistance (Junction to Case)
Mounting Torque
Weight
Tj = 25 C Maximum. Unless stated Otherwise
Symbol
V
FM
I
DRM(1)
I
DRM(2)
f
(MAX)
R
TH (J-c)
M
T
Wt
Condition
I
FM
= 200 Amps
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
,Tj = 150
O
C
Min
Value
Typ
1.2
20.0
5
7.5
0.40
11.3
78
Max
Unit
Volt
µA
mA
KHz
O
C/W
NM
grms
117.47(4.625)
111.13(4.375)
16.25(0.640)
15.50(0.610)
18.80 (0.740)
16.76 (0.660)
10.41(0.410)
8.90(0.350)
7.39(0.291)
6.89(0.271)
21.47(0.843)
21.20(0.835)
15.24(0.60)
12.70(0.50)
3/8"-24UNF-2A
39.37 (1.550)
Max
8.30(0.327)
7.55(0.297)
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