Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Objectid | 2078586558 |
| 零件包装代码 | BCY |
| 包装说明 | TO-18, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 45 |
| JEDEC-95代码 | TO-205AD |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.2 W |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/323H |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| 最大关闭时间(toff) | 250 ns |
| 最大开启时间(吨) | 70 ns |

| JANTXV2N3250A | JANTXV2N3251A | |
|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD, TO-18, 3 PIN |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Objectid | 2078586558 | 2078586561 |
| 零件包装代码 | BCY | BCY |
| 包装说明 | TO-18, 3 PIN | TO-18, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 45 | 90 |
| JEDEC-95代码 | TO-205AD | TO-205AD |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.2 W | 1.2 W |
| 认证状态 | Qualified | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/323H | MIL-19500/323H |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 300 MHz |
| 最大关闭时间(toff) | 250 ns | 300 ns |
| 最大开启时间(吨) | 70 ns | 70 ns |
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