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OM6535SFV

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共2页
制造商Omnirel Corp
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OM6535SFV概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8

OM6535SFV规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码R-MDFM-F8
元件数量2
端子数量8
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

OM6535SFV相似产品对比

OM6535SFV OM6535SFT
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8 HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 HIGH SPEED HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC) 75 A 75 A
集电极-发射极最大电压 1000 V 1000 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码 R-MDFM-F8 R-MDFM-F8
元件数量 2 2
端子数量 8 8
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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