OM6535SFT概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8

OM6535SFT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)	75 A
集电极-发射极最大电压	1000 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码	R-MDFM-F8
元件数量	2
端子数量	8
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON

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OM6535SFT相似产品对比

	OM6535SFT	OM6535SFV
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
厂商名称	Omnirel Corp	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8	HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-8
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	HIGH SPEED	HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)	75 A	75 A
集电极-发射极最大电压	1000 V	1000 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码	R-MDFM-F8	R-MDFM-F8
元件数量	2	2
端子数量	8	8
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
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