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NTE226MP

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-66, Metal, 2 Pin, JAPANESE TO-66, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共1页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
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NTE226MP概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-66, Metal, 2 Pin, JAPANESE TO-66, 2 PIN

NTE226MP规格参数

参数名称属性值
厂商名称NTE
零件包装代码TO-66
包装说明JAPANESE TO-66, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性MATCHED PAIR OF NTE226
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-66
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量2
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值12 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)0.7 MHz

NTE226MP相似产品对比

NTE226MP NTE219MCP NTE217
描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-66, Metal, 2 Pin, JAPANESE TO-66, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-237, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 2 A 15 A 1 A
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 20 40
JEDEC-95代码 TO-66 TO-3 TO-237AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-PBCY-T3
元件数量 2 2 1
端子数量 2 2 3
封装主体材料 METAL METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP NPN AND PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 GERMANIUM SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 0.7 MHz 2.5 MHz 175 MHz
零件包装代码 TO-66 - TO-237
包装说明 JAPANESE TO-66, 2 PIN - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 2 - 3
其他特性 MATCHED PAIR OF NTE226 MATCHED COMPLIMENTARY PAIR CONTAINS NTE130 AND NTE219 -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR -
集电极-发射极最大电压 35 V - 40 V
功耗环境最大值 12 W 115 W -
Is Samacsys - N N
Base Number Matches - 1 1
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