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NTE217

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共1页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
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NTE217概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-237, 3 PIN

NTE217规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-237
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)175 MHz
Base Number Matches1

NTE217相似产品对比

NTE217 NTE219MCP NTE226MP
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-237, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-66, Metal, 2 Pin, JAPANESE TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 15 A 2 A
配置 SINGLE SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 40 20 100
JEDEC-95代码 TO-237AA TO-3 TO-66
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 2 2
端子数量 3 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP NPN AND PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 175 MHz 2.5 MHz 0.7 MHz
零件包装代码 TO-237 - TO-66
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - JAPANESE TO-66, 2 PIN
针数 3 - 2
Is Samacsys N N -
集电极-发射极最大电压 40 V - 35 V
Base Number Matches 1 1 -
其他特性 - MATCHED COMPLIMENTARY PAIR CONTAINS NTE130 AND NTE219 MATCHED PAIR OF NTE226
外壳连接 - COLLECTOR COLLECTOR
功耗环境最大值 - 115 W 12 W
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