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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NP36N055ILE-E2-AZ
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NP36N055ILE-E2-AZ

产品描述36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小283KB，共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

NP36N055ILE-E2-AZ概述

36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

NP36N055ILE-E2-AZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性TAPE AND REEL
雪崩能效等级（Eas）108 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)36 A
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)144 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NP36N055ILE-E2-AZ相似产品对比

NP36N055ILE-E2-AZ NP36N055ILE-E1-AZ NP36N055IHE-E2-AZ NP36N055IHE-E1-AZ NP36N055SHE-E2-AY NP36N055SHE-AY NP36N055HHE-AY NP36N055IHE-AZ NP36N055IHE-E1-AY
描述 36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN 36A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN 36A, 55V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN 36A, 55V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252AA TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-251 NP36N055IHE-AZ TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,36A I(D),TO-252
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant unknown compliant compliant unknown unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single Single - Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 36 A 36 A 36 A - 36 A 36 A 36 A - 36 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 120 W 120 W 120 W - 120 W 120 W 120 W - 120 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES NO - YES

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