8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 500 V |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | 锡 铅 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 8 A |
最大漏极导通电阻 | 0.8500 ohm |
最大漏电流脉冲 | 32 A |
IRFS840 | IRF840 | IRFS840B | |
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描述 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | 单一的 | SINGLE | SINGLE |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | 硅 | SILICON | SILICON |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | - | Fairchild | Fairchild |
包装说明 | - | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220F, 3 PIN |
Reach Compliance Code | - | unknow | _compli |
雪崩能效等级(Eas) | - | 510 mJ | 320 mJ |
外壳连接 | - | DRAIN | ISOLATED |
配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | - | 500 V | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 8 A | 4.6 A |
最大漏极电流 (ID) | - | 8 A | 8 A |
最大漏源导通电阻 | - | 0.85 Ω | 0.8 Ω |
FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | - | TO-220AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | - | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | - | e0 | e3 |
工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | - | 125 W | 44 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 32 A | 32 A |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | - | NO | NO |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE |
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