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IRFS840

产品描述8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小910KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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IRFS840概述

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

IRFS840规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压500 V
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层锡 铅
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流8 A
最大漏极导通电阻0.8500 ohm
最大漏电流脉冲32 A

IRFS840相似产品对比

IRFS840 IRF840 IRFS840B
描述 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量 3 3 3
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 单一的 SINGLE SINGLE
元件数量 1 1 1
晶体管应用 开关 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
是否Rohs认证 - 不符合 符合
厂商名称 - Fairchild Fairchild
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220F, 3 PIN
Reach Compliance Code - unknow _compli
雪崩能效等级(Eas) - 510 mJ 320 mJ
外壳连接 - DRAIN ISOLATED
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 8 A 4.6 A
最大漏极电流 (ID) - 8 A 8 A
最大漏源导通电阻 - 0.85 Ω 0.8 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 - e0 e3
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 125 W 44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 32 A 32 A
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO NO
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE
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