8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| Objectid | 1547391246 |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | TO-220F, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| compound_id | 10991184 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 320 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.8 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 44 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRFS840B | IRFS840 | IRF840 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | 单一的 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | 开关 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | 硅 | SILICON |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | - | Fairchild |
| 包装说明 | TO-220F, 3 PIN | - | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | _compli | - | unknow |
| 雪崩能效等级（Eas） | 320 mJ | - | 510 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | - | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.6 A | - | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 8 A | - | 8 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.8 Ω | - | 0.85 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | - | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 44 W | - | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 32 A | - | 32 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | - | NOT SPECIFIED |
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