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IRF840: 产品描述8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小910KB，共10页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

8 A, 500 V, 0.85 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

	IRF840	IRFS840	IRFS840B
描述	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB	8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-孔	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	单一的	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	开关	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	硅	SILICON
是否Rohs认证	不符合	-	符合
厂商名称	Fairchild	-	Fairchild
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	TO-220F, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknow	-	_compli
雪崩能效等级（Eas）	510 mJ	-	320 mJ
外壳连接	DRAIN	-	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	-	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	-	4.6 A
最大漏极电流 (ID)	8 A	-	8 A
最大漏源导通电阻	0.85 Ω	-	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	-	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	-	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	-	e3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT APPLICABLE
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W	-	44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A	-	32 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	NO	-	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT APPLICABLE

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