Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N34 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 34 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| DS1250YP-IND | DS1250AB | DS1250AB-IND | DS1250ABP | DS1250ABP-IND | DS1250YP | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | compliant | not_compliant | compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
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