Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SKM75GB123D

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SKM75GB123D: 产品描述IGBT Modules; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小551KB，共6页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com; 标准

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SKM75GB123D概述

IGBT Modules

SKM75GB123D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMIKRON
零件包装代码	DO-204
包装说明	CASE D61, SEMITRANS 2, 7 PIN
针数	2
制造商包装代码	CASE D61
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	75 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X7
JESD-609代码	e3/e4
元件数量	2
端子数量	7
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	400 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN/SILVER
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	450 ns
标称接通时间 (ton)	100 ns
VCEsat-Max	3 V

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SKM 75GB123D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

IGBT Modules

SKM 75GB123D

SKM 75GAL123D

SKM 75GAR123D

Inverse Diode

Freewheeling Diode

Features

Module

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

GAL

GAR

18-05-2009 NOS

SKM75GB123D相似产品对比

	SKM75GB123D	SKM75GAL123D	SKM75GAR123D	SKM75GB123D_09
描述	IGBT Modules	IGBT Modules	IGBT Modules	IGBT Modules
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-
厂商名称	SEMIKRON	SEMIKRON	SEMIKRON	-
零件包装代码	DO-204	DO-204	DO-204	-
包装说明	CASE D61, SEMITRANS 2, 7 PIN	CASE D62, SEMITRANS 2, 5 PIN	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	-
针数	2	2	2	-
制造商包装代码	CASE D61	CASE D62	CASE D63	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED	-
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-
最大集电极电流 (IC)	75 A	75 A	75 A	-
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V	-
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	-
JESD-30 代码	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7	-
JESD-609代码	e3/e4	e3/e4	e2	-
元件数量	2	1	1	-
端子数量	7	7	7	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大功率耗散 (Abs)	400 W	400 W	460 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	NO	NO	NO	-
端子面层	TIN/SILVER	TIN/SILVER	Tin/Silver (Sn/Ag)	-
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-
标称断开时间 (toff)	450 ns	450 ns	450 ns	-
标称接通时间 (ton)	100 ns	100 ns	100 ns	-
VCEsat-Max	3 V	3 V	3 V	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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