IGBT Modules
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SEMIKRON |
| 零件包装代码 | DO-204 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE D63 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 460 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 450 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 100 ns |
| VCEsat-Max | 3 V |
| SKM75GAR123D | SKM75GAL123D | SKM75GB123D_09 | SKM75GB123D | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IGBT Modules | IGBT Modules | IGBT Modules | IGBT Modules |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | SEMIKRON | SEMIKRON | - | SEMIKRON |
| 零件包装代码 | DO-204 | DO-204 | - | DO-204 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | CASE D62, SEMITRANS 2, 5 PIN | - | CASE D61, SEMITRANS 2, 7 PIN |
| 针数 | 2 | 2 | - | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE D63 | CASE D62 | - | CASE D61 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | - | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED | - | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 75 A | 75 A | - | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V | - | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V | - | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 | R-XUFM-X7 | - | R-XUFM-X7 |
| JESD-609代码 | e2 | e3/e4 | - | e3/e4 |
| 元件数量 | 1 | 1 | - | 2 |
| 端子数量 | 7 | 7 | - | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 460 W | 400 W | - | 400 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO |
| 端子面层 | Tin/Silver (Sn/Ag) | TIN/SILVER | - | TIN/SILVER |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER | - | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL | - | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 450 ns | 450 ns | - | 450 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 100 ns | 100 ns | - | 100 ns |
| VCEsat-Max | 3 V | 3 V | - | 3 V |
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