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SKM75GAL123D

产品描述IGBT Modules
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小551KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM75GAL123D概述

IGBT Modules

SKM75GAL123D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明CASE D62, SEMITRANS 2, 5 PIN
针数2
制造商包装代码CASE D62
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e3/e4
元件数量1
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)400 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN/SILVER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)450 ns
标称接通时间 (ton)100 ns
VCEsat-Max3 V

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SKM 75GB123D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
2
IGBT Modules
SKM 75GB123D
SKM 75GAL123D
SKM 75GAR123D
Inverse Diode
Freewheeling Diode
Features
Module
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GB
GAL
GAR
1
18-05-2009 NOS
© by SEMIKRON

SKM75GAL123D相似产品对比

SKM75GAL123D SKM75GAR123D SKM75GB123D_09 SKM75GB123D
描述 IGBT Modules IGBT Modules IGBT Modules IGBT Modules
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON - SEMIKRON
零件包装代码 DO-204 DO-204 - DO-204
包装说明 CASE D62, SEMITRANS 2, 5 PIN FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 - CASE D61, SEMITRANS 2, 7 PIN
针数 2 2 - 2
制造商包装代码 CASE D62 CASE D63 - CASE D61
Reach Compliance Code compli compli - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 75 A 75 A - 75 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V - 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V 20 V - 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X7 - R-XUFM-X7
JESD-609代码 e3/e4 e2 - e3/e4
元件数量 1 1 - 2
端子数量 7 7 - 7
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 400 W 460 W - 400 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO NO - NO
端子面层 TIN/SILVER Tin/Silver (Sn/Ag) - TIN/SILVER
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER - UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL - POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
标称断开时间 (toff) 450 ns 450 ns - 450 ns
标称接通时间 (ton) 100 ns 100 ns - 100 ns
VCEsat-Max 3 V 3 V - 3 V
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