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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> BTW66-600
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BTW66-600

产品描述30A, 600V, SCR
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小82KB，共6页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BTW66-600概述

30A, 600V, SCR

BTW66-600规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间100 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率500 V/us
最大直流栅极触发电流50 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
快速连接描述A-G-K
螺丝端子的描述0
最大维持电流75 mA
JESD-30 代码O-MUFM-D3
最大漏电流3 mA
通态非重复峰值电流200 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流20000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流30 A
重复峰值关态漏电流最大值20 µA
断态重复峰值电压600 V
重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
触发设备类型SCR

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BTW 66
BTW 67
SCR
.
.
.
.
FEATURES
HIGH SURGE CAPABILITY
HIGH ON-STATE CURRENT
HIGH STABILITY AND RELIABILITY
ISOLATED PACKAGE :
INSULATED VOLTAGE = 2500V
(RMS)
(UL RECOGNIZED : E81734)
K
A
G
DESCRIPTION
The BTW 66 and BTW 67 Family Silicon Controlled
Rectifiers are high performance glass passivated
chips technology.
This general purpose Family Silicon Controlled
Rectifiers is designed for power supply up to
400Hz on resistive or inductive load.
ABSOLUTE RATINGS
(limiting values)
Symbol
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
RMS on-state current
(180° conduction angle)
Average on-state current (180° conduction
angle,single phase circuit)
Non repetitive surge peak on-state current
( Tj initial = 25°C )
Parameter
BTW 66
BTW 67
BTW 66
BTW 67
BTW 66
BTW 67
BTW 66
BTW 67
I2t
dI/dt
I2t value
Critical rate of rise of on-state current
Gate supply : IG = 100 mA diG/dt = 1 A/µs
Storage and operating junction temperature range
Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm
from case
Parameter
200
VDRM
VRRM
March 1995
Repetitive peak off-state voltage
Tj = 125
°C
200
400
400
BTW 66
BTW 67
Tc=75°C
Tc=75°C
Tc=75°C
Tc=75°C
tp=8.3 ms
tp=10 ms
RD 91
(Plastic)
Value
30
40
20
25
420
525
400
500
800
1250
100
Unit
A
A
A
tp=10 ms
A2s
A/µs
°C
°C
°C
Tstg
Tj
Tl
- 40 to + 150
- 40 to + 125
230
Symbol
BTW 66- / BTW 67-
600
600
800
800
1000
1000
1200
1200
Unit
V
1/6

BTW66-600相似产品对比

BTW66-600 BTW66-1000 BTW66-1200 BTW66-400 BTW66-800 BTW67-400
描述 30A, 600V, SCR 30A, 1000V, SCR 30A, 1200V, SCR 30A, 400V, SCR 30A, 800V, SCR 40A, 400V, SCR
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3 FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3 FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3 FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3 FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3 FLANGE MOUNT, O-MUFM-D3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
标称电路换相断开时间 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs 100 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率 500 V/us 250 V/us 250 V/us 500 V/us 500 V/us 500 V/us
最大直流栅极触发电流 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 80 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
快速连接描述 A-G-K A-G-K A-G-K A-G-K A-G-K A-G-K
最大维持电流 75 mA 75 mA 75 mA 75 mA 75 mA 150 mA
JESD-30 代码 O-MUFM-D3 O-MUFM-D3 O-MUFM-D3 O-MUFM-D3 O-MUFM-D3 O-MUFM-D3
最大漏电流 3 mA 3 mA 3 mA 3 mA 3 mA 6 mA
通态非重复峰值电流 200 A 200 A 420 A 200 A 200 A 350 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最大通态电流 20000 A 20000 A 20000 A 20000 A 20000 A 25000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 40 A
重复峰值关态漏电流最大值 20 µA 20 µA 20 µA 20 µA 20 µA 20 µA
断态重复峰值电压 600 V 1000 V 1200 V 400 V 800 V 400 V
重复峰值反向电压 600 V 1000 V 1200 V 400 V 800 V 400 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR

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