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5962L0053606VYC

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36
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文件大小232KB,共41页
制造商Cobham PLC
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5962L0053606VYC概述

Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36

5962L0053606VYC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明QFF, FL36,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDFP-F36
JESD-609代码e4
长度25.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFF
封装等效代码FL36,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.98 mm
最大待机电流0.045 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.076 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
总剂量50k Rad(Si) V
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Correction to TABLE I, I
DD
parameter. Added Appendix B to allow for
the procurement of die. - glg
Correction to Appendix B, added paragraph 10.2.4 Die code. Updated
boilerplate references. ksr
Add 02 device representing an extended temperature device.
Corrected (SEP) effective with no latch-up in paragraph 1.5; was 90.5
MeV-cm
2
/mg changed to 80 MeV-cm
2
/mg ksr
Added devices 03 and 04, updated Table I.
ksr
DATE (YR-MO-DA)
00-12-11
APPROVED
Raymond Monnin
B
02-01-15
Raymond Monnin
C
02-10-22
Raymond Monnin
D
E
02-12-08
07-03-29
Raymond Monnin
Robert M. Heber
Added devices 05 and 06 updated Table I. Added case outline Y.
Boilerplate update, part of 5 year review. ksr
Corrected Table I, the post radiation limit for I
DD2
for devices 05 and
06. ksr
Made corrections to case U dimension table symbol A, D, E1, and E2.
ksr
F
G
07-04-11
09-09-24
Robert M. Heber
Charles F. Saffle
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
G
35
G
15
G
36
G
16
G
37
G
17
G
38
G
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Gary L. Gross
CHECKED BY
Jeff Bowling
G
19
G
20
G
21
G
1
G
22
G
2
G
23
G
3
G
24
G
4
G
25
G
5
G
26
G
6
G
27
G
7
G
28
G
8
G
29
G
9
G
30
G
10
G
31
G
11
G
32
G
12
G
33
G
13
G
34
G
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
APPROVED BY
Raymond Monnin
DRAWING APPROVAL DATE
00-09-19
REVISION LEVEL
G
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL,
CMOS, 512K x 8-BIT, RADIATION-
HARDENED SRAM, MONOLITHIC
SILICON
SIZE
A
SHEET
AMSC N/A
CAGE CODE
67268
1 OF
38
5962-00536
5962-E222-09
DSCC FORM 2233
APR 97

5962L0053606VYC相似产品对比

5962L0053606VYC 5962L0053606VYA 5962L0053605VYC
描述 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36
厂商名称 Cobham PLC Cobham PLC Cobham PLC
包装说明 QFF, FL36,.6 QFF, FL36,.6 QFF, FL36,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 20 ns 20 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-CDFP-F36 R-CDFP-F36 R-CDFP-F36
JESD-609代码 e4 e0 e4
长度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 36 36 36
字数 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -55 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QFF QFF QFF
封装等效代码 FL36,.6 FL36,.6 FL36,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Qualified Qualified Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 2.98 mm 2.98 mm 2.98 mm
最大待机电流 0.045 A 0.045 A 0.045 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.076 mA 0.076 mA 0.076 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE MILITARY
端子面层 GOLD TIN LEAD GOLD
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
总剂量 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 -

 
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