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NAND08GR4B2C

产品描述512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小2MB,共69页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND08GR4B2C概述

512M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48

512M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 25000 ns, PDSO48

NAND08GR4B2C规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最小工作温度-40 Cel
最大工作温度85 Cel
额定供电电压3 V
最小供电/工作电压2.7 V
最大供电/工作电压3.6 V
加工封装描述12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
状态Transferred
ypeNAND TYPE
sub_categoryFlash Memories
ccess_time_max25000 ns
command_user_interfaceYES
data_pollingNO
jesd_30_codeR-PDSO-G48
存储密度4.29E9 bit
内存IC类型FLASH
内存宽度8
umber_of_sectors_size4K
位数5.37E8 words
位数512M
操作模式ASYNCHRONOUS
组织512MX8
包装材料PLASTIC/EPOXY
ckage_codeTSSOP
ckage_equivalence_codeTSSOP48,.8,20
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
ge_size__words_2K
串行并行PARALLEL
wer_supplies__v_3/3.3
gramming_voltage__v_3
qualification_statusCOMMERCIAL
eady_busyYES
seated_height_max1.2 mm
sector_size__words_128K
standby_current_max5.00E-5 Amp
最大供电电压0.0300 Amp
表面贴装YES
工艺CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子涂层NOT SPECIFIED
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子位置DUAL
ggle_biNO
length18.4 mm
width12 mm

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