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CMLM0405TR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI, SOT-563, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小582KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLM0405TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI, SOT-563, 6 PIN

CMLM0405TR规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

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CMLM0405
MULTI DISCRETE MODULE
SURFACE MOUNT
LOW VCE(SAT) SILICON NPN TRANSISTOR
AND
LOW VF SILICON SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLM0405 is a
single NPN Transistor and Schottky Diode packaged in
a space saving SOT-563 case and designed for small
signal general purpose applications where size and
operational efficiency are prime requirements.
• Complementary Device:
CMLM0605
• Combination Low VCE(SAT) Transistor and
Low VF Schottky Diode.
SOT-563 CASE
MARKING CODE: C45
MAXIMUM RATINGS - CASE:
(TA=25°C)
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MAXIMUM RATINGS - Q1:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
MAXIMUM RATINGS - D1:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current, tp≤1.0ms
Peak Forward Surge Current, tp =8.0ms
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
350
-65 to +150
357
60
40
6.0
200
40
500
3.5
10
UNITS
mW
°C
°C/W
UNITS
V
V
V
mA
UNITS
V
mA
A
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Q1:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
BVCBO
IC=10μA
60
120
BVCEO
IC=1.0mA
40
60
BVEBO
IE=10μA
6.0
7.5
VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA
0.057
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
0.090
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
0.65
0.75
VBE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
0.85
hFE
VCE=1.0V, IC=0.1mA
90
180
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0mA
100
185
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
180
hFE
VCE=1.0V, IC=50mA
70
150
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
30
90
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
300
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
hie
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
1.0
hre
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
0.1
MAX
50
0.100
0.200
0.85
0.95
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
300
4.0
8.0
12
10
MHz
pF
pF
X10
-4
R2 (18-January 2010)

CMLM0405TR相似产品对比

CMLM0405TR CMLM0405BK
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI, SOT-563, 6 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PICOMINI, SOT-563, 6 PIN
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数 6 6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) 250 ns 250 ns
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns

 
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